公开(公告)号：CN110034100A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811347983.0

申请日：2018-11-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤知稔 ,  米田博之 ,  田中研一 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种开关噪声的降低效果较高的功率半导体组件及电子设备。在功率半导体组件(10)中，在绝缘层(121)的一侧的主面形成有由第一至第四电极部(111～114)构成的第一导电层，在另一侧的主面形成有作为第二导电层的导电性基板(101)，通过配置于第一导电层的表面的第一晶体管(131)及第二晶体管(132)的开关控制来切换电流路径从而实施电力转换。在第一电极部(111)及第二电极部(112)之间(区域A3)连接有电容器(141)，在区域A3第二导电层中流通有电流的情况下，能够利用电容器(141)中产生的充放电电流获得磁场抵消效果。

公开(公告)号：CN112202318A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010654208.0

申请日：2020-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 金井洋贵 ,  佐藤知稔 ,  藤田耕一郎 ,  田中研一 ,  米田博之 ,  藤井直道

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/00

Abstract: 抑制在开关时功率PGND的电位变动所致的杂讯输送到控制电路的控制输出电路。功率模块(100)包括功率电路(1)、以及控制电路(2)，PGND与CGND被分离，控制电路(2)的控制输出电路(22)的至少一部分、与CGND隔着绝缘层(24)，配置在互相在不同的层中对向的位置。