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公开(公告)号：CN100374942C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410090305.2
申请日：2004-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136268 , G02F2201/50 , G09G3/3648 , G09G2330/08
Abstract: 在通过能量辐射使二维排列的多个像素部分中的缺陷像素部分的点缺陷被修复的有源矩阵基板中，所述有源矩阵基板包括用于吸收过剩能量功率并防止导电材料碎片分散的第一保护元件以及用于防止导电材料碎片分散并防止导电层膨胀的第二保护元件中的一个保护元件。将第一保护元件和第二保护元件之一设置在至少一个能量辐射部分的上方。
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公开(公告)号：CN101950104A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010282238.X
申请日：2006-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133377 , G02F1/133753 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中，液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时，液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
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公开(公告)号：CN1652005A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510007523.X
申请日：2005-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F1/136213
Abstract: 本发明提供一种可以容易地进行辅助电容电极导致的短路缺陷的显示不良的修正的显示装置及其制作方法(缺陷修正方法)。在设置有供给显示用信号的源极线(2)、显示用的像素电极(8)、以及切换源极线(2)与像素电极(8)的电气连接的TFT(5)的显示装置中，TFT(5)包括电连接于源极线(2)的源极(4b)、电连接于像素电极(8)的漏极(4c)、以及控制源极(4b)和漏极(4c)间的电气连接的栅极(1a)，在漏极(4c)上，连接着第1辅助电容电极(4d)和第2辅助电容电极(4e)，漏极(4c)与这些辅助电容电极(4d和4e)的各个的连接部由半导体来形成。
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公开(公告)号：CN1607448A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410095116.4
申请日：2004-09-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136268
Abstract: 提供一种有源基板，该基板包括：包含第一驱动区和第二驱动区的开关元件，一信号线连接到所述第一驱动区；连接到所述第二驱动区的像素电极；包括半导体材料和导电材料中的至少一种并且与像素电极连接的第一层；包括半导体材料和导电材料中的至少一种并且与信号线连接的第二层；以及设置在第一层与第二层之间的绝缘膜。第一层的至少一部分与第二层的至少一部分彼此重叠，从而通过向所述绝缘膜施加第一能量将第一层与第二层短路。
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公开(公告)号：CN101278230A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680035962.4
申请日：2006-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133377 , G02F1/133753 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中，液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时，液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100365497C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510007523.X
申请日：2005-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F1/136213
Abstract: 本发明提供一种可以容易地进行辅助电容电极导致的短路缺陷的显示不良的修正的显示装置及其制作方法(缺陷修正方法)。在设置有供给显示用信号的源极线(2)、显示用的像素电极(8)、以及切换源极线(2)与像素电极(8)的电气连接的TFT(5)的显示装置中，TFT(5)包括电连接于源极线(2)的源极(4b)、电连接于像素电极(8)的漏极(4c)、以及控制源极(4b)和漏极(4c)间的电气连接的栅极(1a)，在漏极(4c)上，连接着第1辅助电容电极(4d)和第2辅助电容电极(4e)，漏极(4c)与这些辅助电容电极(4d和4e)的各个的连接部由半导体来形成。
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公开(公告)号：CN100359398C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200410095116.4
申请日：2004-09-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136268
Abstract: 提供一种有源基板，该基板包括：包含第一驱动区和第二驱动区的开关元件，一信号线连接到所述第一驱动区；连接到所述第二驱动区的像素电极；包括半导体材料和导电材料中的至少一种并且与像素电极连接的第一层；包括半导体材料和导电材料中的至少一种并且与信号线连接的第二层；以及设置在第一层与第二层之间的绝缘膜。第一层的至少一部分与第二层的至少一部分彼此重叠，从而通过向所述绝缘膜施加第一能量将第一层与第二层短路。
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公开(公告)号：CN101950104B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010282238.X
申请日：2006-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133377 , G02F1/133753 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中，液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时，液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
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公开(公告)号：CN101278230B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680035962.4
申请日：2006-06-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133377 , G02F1/133753 , G02F2001/134318
Abstract: 本发明提供能够防止由连接子像素电极彼此的连接电极所引起的液晶分子的取向紊乱所产生的粒状性、烧屏和残像等显示品质劣化的垂直取向方式的液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中，液晶面板的各像素电极(2)通过将至少2个以上的子像素电极(2a)组合而构成、且各子像素电极(2a)通过宽度比子像素电极(2a)窄的电桥(3)分别连接。采用当施加电压时，液晶分子以与各子像素电极(2a)面垂直的方向的取向中心轴为基准而轴对称地倾倒的垂直取向方式。电桥(3)相对于子像素电极(2a)被设置在非对称位置。
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公开(公告)号：CN1598679A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410090305.2
申请日：2004-09-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G02F2001/136268 , G02F2201/50 , G09G3/3648 , G09G2330/08
Abstract: 在通过能量辐射使二维排列的多个像素部分中的缺陷像素部分的点缺陷被修复的有源矩阵基板中，所述有源矩阵基板包括用于吸收过剩能量功率并防止导电材料碎片分散的第一保护元件以及用于防止导电材料碎片分散并防止导电层膨胀的第二保护元件中的一个保护元件。将第一保护元件和第二保护元件之一设置在至少一个能量辐射部分的上方。
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