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公开(公告)号:CN101268415A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200680034835.2
申请日:2006-09-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F2001/133354 , G02F2001/136231 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明的目的是提供一种用于测定图案的对位精度的位置测定标记不会使像素的开口率降低的显示面板用的基板和一种具有该基板的显示面板。在基板的表面上,用于对栅极信号线(12)和辅助电容线(15)的图案、与源极信号线(13)和漏极线(14)的图案的对位精度进行测定的位置测定标记(11),形成为包括至少一边以上的直线部分的形状,在与源极信号线(13)和漏极线(14)的图案相同的层中,在与栅极信号线(12)重叠的位置形成为浮岛状。
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公开(公告)号:CN101080756A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200580043349.2
申请日:2005-12-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136259
Abstract: 本发明涉及一种有源矩阵衬底及其制造方法、显示装置、液晶显示装置和电视接收装置。有源矩阵衬底(12)具有:衬底、形成在上述衬底上的TFT(24)、形成在上述衬底上的存储电容元件(20)、覆盖存储电容元件(20)的层间绝缘膜、形成在上述层间绝缘膜上的像素电极(21)。存储电容元件(20)具有:存储电容布线(27)、形成在存储电容布线(27)上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与存储电容布线(27)相对设置的两个以上的存储电容电极(25a、25b、25c)。上述两个以上的存储电容电极,通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔(26a、26b、26c)与像素电极(21)导通,并与TFT(24)的漏极电极导通。
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公开(公告)号:CN100481156C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200580043349.2
申请日:2005-12-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136259
Abstract: 本发明涉及一种有源矩阵衬底及其制造方法、显示装置、液晶显示装置和电视接收装置。有源矩阵衬底(12)具有:衬底、形成在上述衬底上的T FT(24)、形成在上述衬底上的存储电容元件(20)、覆盖存储电容元件(20)的层间绝缘膜、形成在上述层间绝缘膜上的像素电极(21)。存储电容元件(20)具有:存储电容布线(27)、形成在存储电容布线(27)上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与存储电容布线(27)相对设置的两个以上的存储电容电极(25a、25b、25c)。上述两个以上的存储电容电极,通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔(26a、26b、26c)与像素电极(21)导通,并与TFT(24)的漏极电极导通。
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