公开(公告)号：CN118970475A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411377806.2

申请日：2024-09-30

Applicant: 扬州大学

Inventor： 杨晔 ,  钱沁宇 ,  樊莉 ,  王钦华

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q17/00

Abstract: 本发明公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米立方结构的超表面截止吸收器，包括均匀生长在方形二氧化硅衬底上的铝方台，铝方台的顶面均匀生长有金方台，金方台的顶面生长有氟化镁方锥，氟化镁方锥的顶面生长有砷化镓方环，形成装配体，多个装配体组合形成交叉阵列，本发明使得波长从近紫外到中红外（300nm‑20μm）段，在吸收带300‑435nm中实现了高达0.992的平均吸收率，并且吸收率从435nm波长处的0.965急剧下降到625nm波长处的0.152，在非吸收带625nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.0067。其中消光比为8.02dB，消光差为0.81，截止斜率为0.0043 nm‑1；截止纳米吸收器能够在纳米尺度上实现对特定波长光的高效吸收和截止，可用于在国防军工领域。

公开(公告)号：CN118915208A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411312272.5

申请日：2024-09-20

Applicant: 扬州大学

Inventor： 钱沁宇 ,  杨晔 ,  王钦华

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器，包括生长在二氧化硅衬底上的多层纳米方锥结构，二氧化硅衬底与多层纳米方锥结构组合成装配体，多组装配体组合形成交叉阵列，所述多层纳米方锥结构由下至上分别为：下层铝方锥、中层砷化镓方锥和上层二氧化钛方锥，使得波长从近紫外到中红外（300nm‑20μm），在吸收带300‑965nm中实现了0.903的平均吸收率，并且吸收从965nm波长处的0.900急剧下降到1332nm波长处的0.101，在非吸收带1332nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中消光比为9.13dB，消光差为0.724，截止斜率为0.0019 nm‑1；截止纳米吸收器能够在纳米尺度上实现对特定波长光的高效吸收，可用于纳米光子器件和集成光子系统中。