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发明公开
雪崩光电二极管审中-实审

公开(公告)号：CN114762131A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201980102322.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 , 辰己诏子 , 山田友辉

IPC: H01L31/107

Abstract: 提供一种具有高可靠性和低噪声性，同时能在高增益状态下动作的雪崩光电二极管的元件结构。雪崩光电二极管(100)是一种在第一与第二半导体接触层之间至少具有倍增层(105)和光吸收层(103)，第一半导体接触层(108)的面积至少小于倍增层(105)的面积的雪崩光电二极管，其设为在第一半导体接触层(108)与倍增层(105)之间，具有在动作电压下耗尽层化的电场弛豫层(107)。

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