霍尔传感器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105185900B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201510330421.5

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备:GaAs霍尔元件(10),其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a~13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40);引线端子(22~25),其配置在GaAs霍尔元件的周围;金属细线(31~34),其将电极与引线端子分别电连接;以及模制构件(50),其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

    霍尔传感器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107195772B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201710470300.X

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备:GaAs霍尔元件(10),其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a~13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40);引线端子(22~25),其配置在GaAs霍尔元件的周围;金属细线(31~34),其将电极与引线端子分别电连接;以及模制构件(50),其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

    位置检测装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107343139A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710391542.X

    申请日:2013-05-31

    Inventor: 笠松新

    Abstract: 本发明涉及一种构成为达成使用了闭环控制的自动对焦机构和抖动校正机构且共用自动对焦用磁体和抖动校正用磁体从而谋求小型化的位置检测装置。位置检测装置包括:自动对焦机构,其用于使透镜沿透镜(1)的光轴(Z轴)移动;以及抖动校正机构,其用于使透镜沿与光轴正交的方向移动。另外,永磁体(2)固定于透镜(1),永磁体(2)随着透镜(1)的移动而移动,利用位置传感器(4、6)检测其移动量。应用于自动对焦机构的自动对焦用的永磁体(2)和应用于抖动校正机构的抖动校正用的永磁体(2)设于透镜(1)附近且共用。

    位置检测装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107343139B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201710391542.X

    申请日:2013-05-31

    Inventor: 笠松新

    Abstract: 本发明涉及一种构成为达成使用了闭环控制的自动对焦机构和抖动校正机构且共用自动对焦用磁体和抖动校正用磁体从而谋求小型化的位置检测装置。位置检测装置包括:自动对焦机构,其用于使透镜沿透镜(1)的光轴(Z轴)移动;以及抖动校正机构,其用于使透镜沿与光轴正交的方向移动。另外,永磁体(2)固定于透镜(1),永磁体(2)随着透镜(1)的移动而移动,利用位置传感器(4、6)检测其移动量。应用于自动对焦机构的自动对焦用的永磁体(2)和应用于抖动校正机构的抖动校正用的永磁体(2)设于透镜(1)附近且共用。

    霍尔传感器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105185900A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510330421.5

    申请日:2015-06-15

    Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备:GaAs霍尔元件(10),其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a~13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40);引线端子(22~25),其配置在GaAs霍尔元件的周围;金属细线(31~34),其将电极与引线端子分别电连接;以及模制构件(50),其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

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