层叠体、导电性层叠体及电子设备

    公开(公告)号:CN106165025A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201580019590.5

    申请日:2015-04-09

    CPC classification number: B32B9/00 G06F3/041 H01B5/14

    Abstract: 本发明提供一种利用热处理的铟锡氧化物膜的结晶化良好且结晶化后的铟锡氧化物膜的薄层电阻变小的层叠体。层叠体具有透明基材和铟锡氧化物层。铟锡氧化物层层叠在透明基材上且主要由非晶质的铟锡氧化物构成。铟锡氧化物层具有0.60at%以下的氢浓度。另外,铟锡氧化物层的热处理温度150℃和热处理时间30分钟的热处理后的薄层电阻成为200Ω/□以下。

Patent Agency Ranking