公开(公告)号：CN117919942A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410106618.X

申请日：2024-01-25

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨时聪 ,  魏奎先 ,  马文会 ,  谢克强 ,  朱永泽

IPC: B01D61/00 ,  B01D36/00

Abstract: 本发明涉及一种低水低氧硅片切割废料滤饼的制备方法，属于硅片切割废料回收与利用技术领域。针对当前单晶硅片切割废料滤饼中水分含量高导致氧化严重的问题，本发明对硅片切割废料原料浆液进行固体含量和pH值调整至固体质量含量为4~6%、pH值为4~6，得到硅片切割废料调整浆液；硅片切割废料调整浆液中加入助滤改性剂并混合均匀得到硅片切割废料改性浆液；硅片切割废料改性浆液固液分离得到硅片切割废料滤饼，所述硅片切割废料滤饼中水分质量含量不高于40%，氧元素质量含量不高于7%。本发明通过改善浆液性质强化固液分离促进滤饼水分脱除从而制备低水低氧硅片切割废料滤饼。

公开(公告)号：CN119461379A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411614160.5

申请日：2024-11-13

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨时聪 ,  韩士锋 ,  魏奎先 ,  马文会 ,  谢克强 ,  朱永泽

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明涉及一种降低硅片切割废料氧化可控制备低氧硅的方法，属于硅片切割废料回收与利用技术领域。本发明将硅片切割废料块体进行破碎整形得到硅片切割废料颗粒；再将硅片切割废料颗粒分层均匀平铺至微波加热炉内，在竖直方向上采用布料隔离相邻水平层的硅片切割废料颗粒，相同水平层内的相邻硅片切割废料颗粒之间留有间隙；根据初始含水率和初始含氧量、预期含氧量、装置真空度，设置温度和粒径，确定硅片切割废料颗粒的微波加热可控脱水干燥的预设时间；在真空条件下，微波加热可控脱水干燥可控降低硅片切割废料实际含水率和产品实际含氧量，从而通过降低硅片切割废料的氧化实现低氧硅产品的可控制备。