公开(公告)号：CN1194358C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00806986.7

申请日：2000-04-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂井厚 ,  门田隆二 ,  仁藤洋 ,  冈部俊博 ,  古田雄司 ,  大簱英树 ,  白根浩朗

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/04 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明是关于具有能确实进行阳极部和阴极部间绝缘的掩蔽结构的固体电解电容器及其制造装置，以及在固体电解电容器基片上涂布掩蔽剂的装置和装置的发明。按照本发明，掩蔽剂能充分涂布在有阀作用金属材料上的介电体被膜上，而且可以完全浸透到有阀作用的金属芯片，因固体电解质确实被掩蔽剂掩蔽，故可制得漏泄电流小、能缓和因软熔处理等情况下产生的应力的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN1349653A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00806986.7

申请日：2000-04-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 坂井厚 ,  门田隆二 ,  仁藤洋 ,  冈部俊博 ,  古田雄司 ,  大籏英树 ,  白根浩朗

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G9/04 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明是关于具有能确实进行阳极部和阴极部间绝缘的掩蔽结构的固体电解电容器及其制造装置,以及在固体电解电容器基片上涂布掩蔽剂的装置和装置的发明。按照本发明,掩蔽剂能充分涂布在有阀作用金属材料上的介电体被膜上,而且可以完全浸透到有阀作用的金属芯片,因固体电解质确实被掩蔽剂掩蔽,故可制得漏泄电流小、能缓和因软熔处理等情况下产生的应力的固体电解电容器。