公开(公告)号：CN107000065B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201580063555.3

申请日：2015-12-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内田博 ,  原真尚 ,  菅原笃 ,  橘川守

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  C09D11/52 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。通过在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热来制造银纳米线，所述聚合物以单体单元的形式含有由R‑CONHR'(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R'为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。上述化合物的聚合物为选自聚(N‑乙烯基甲酰胺)、聚(N‑乙烯基乙酰胺)或聚(N‑乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。

公开(公告)号：CN107000065A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063555.3

申请日：2015-12-18

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 内田博 ,  原真尚 ,  菅原笃 ,  橘川守

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  C09D11/52 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。通过在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热来制造银纳米线，所述聚合物以单体单元的形式含有由R‑CONHR'(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R'为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。上述化合物的聚合物为选自聚(N‑乙烯基甲酰胺)、聚(N‑乙烯基乙酰胺)或聚(N‑乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。