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公开(公告)号：CN113443686B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110670446.5
申请日：2021-06-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于含六价铬污水处理的树枝状复合纳米线三维电极材料的制备方法，包括以下步骤：在三维阳极上生长聚吡咯纳米线负载三维电极材料；将苯胺加入到硫酸中，并加入聚吡咯纳米线负载三维电极材料，搅拌均匀，冷却至4～5℃；在4～5℃的硫酸中加入过硫酸铵，搅拌后，立即加入到S2中的溶液，得到混合溶液；搅拌后，于4～5℃环境中静置反应24～25小时，得到树枝状复合纳米线三维电极材料。本发明还公开了上述树枝状复合纳米线三维电极材料及其应用。本发明的树枝状复合纳米线三维电极材料，具有更大的比表面积，能够提供更多反应活性位点，提高电流效率及还原效率，适合大规模工业Cr(VI)污水的高通量、高浓度处理。
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公开(公告)号：CN112250144A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011022333.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: C02F1/461 , C02F101/22 , C02F103/06
Abstract: 本发明公开了一种基于电极内过滤系统氧化‑还原反应顺序转换的中性水体中六价铬去除与回收方法。本发明采用顺序氧化‑还原电化学法，通过阴极Cr(VI)还原和Cr(III)原位沉淀机制，实现中性污水中的Cr(VI)还原和Cr(III)原位沉淀，达到出水无Cr离子检出的效果；当阴极被Cr(OH)3过度钝化和出水中Cr离子浓度超标时采用顺序还原‑氧化电化学法，溶解阴极表面的Cr(OH)3沉淀，原位实现阴极的再生和Cr污染物的浓缩与资源回收。本发明方法运行成本低、无需添加化学药剂、易实现自动化控制和设备化，适合中小规模中性Cr(VI)污水的在线处理，尤其适合Cr(VI)污染的饮用水水源和地下水的原位修复。
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公开(公告)号：CN112940249B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110119243.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，该合成方法采用单个阳极与双阴极配对的形式，通过更换与阳极配对的阴极位置和水流方向，进而实现在三维电极材料表面和内部合成均质聚吡咯纳米线阵列(PPyNWs)，本发明方法反应条件简单易于控制，适合在三维多孔材料表面与内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，提升聚吡咯纳米线的应用性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113443686A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110670446.5
申请日：2021-06-17
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于含六价铬污水处理的树枝状复合纳米线三维电极材料的制备方法，包括以下步骤：在三维阳极上生长聚吡咯纳米线负载三维电极材料；将苯胺加入到硫酸中，并加入聚吡咯纳米线负载三维电极材料，搅拌均匀，冷却至4～5℃；在4～5℃的硫酸中加入过硫酸铵，搅拌后，立即加入到S2中的溶液，得到混合溶液；搅拌后，于4～5℃环境中静置反应24～25小时，得到树枝状复合纳米线三维电极材料。本发明还公开了上述树枝状复合纳米线三维电极材料及其应用。本发明的树枝状复合纳米线三维电极材料，具有更大的比表面积，能够提供更多反应活性位点，提高电流效率及还原效率，适合大规模工业Cr(VI)污水的高通量、高浓度处理。
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公开(公告)号：CN113620391A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110798683.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种去除水中抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因的方法，以表面负载有四氧化三钴纳米线的电极为阴极，以表面负载有四氧化三钴纳米线为阳极，在阴极、阳极之间施加10‑20V的直流电压；使含有抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因的污水垂直流过阴极、阳极的界面，利用阴极、阳极界面的强电场效应及电化学活性位点，去除水中抗生素抗性菌和/或抗生素抗性基因。本发明还公开了实现上述方法的装置。本发明能有效地去除水中抗生素抗性菌和抗生素抗性基因。
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公开(公告)号：CN112940249A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110119243.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于内过滤流的三维电极均质聚吡咯纳米线阵列的合成方法，该合成方法采用单个阳极与双阴极配对的形式，通过更换与阳极配对的阴极位置和水流方向，进而实现在三维电极材料表面和内部合成均质聚吡咯纳米线阵列(PPyNWs)，本发明方法反应条件简单易于控制，适合在三维多孔材料表面与内部生成均质聚吡咯纳米线阵列，提升聚吡咯纳米线的应用性能。
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公开(公告)号：CN112897647A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110075266.2
申请日：2021-01-20
Applicant: 暨南大学
IPC: C02F1/461 , C02F101/22
Abstract: 本发明公开了一种基于方波电源强化Cr(VI)还原的反应装置，包括反应器、绝缘层、多孔电极和方波电源，所述反应器的两端均设有通口，所述绝缘层将反应室分割成第一反应室和第二反应室，一个所述多孔电极安装于第一反应室，另一个所述多孔电极安装于第二反应室，两个所述多孔电极均与方波电源连接。本发明降低了多孔电极的钝化反应，提高了传质效果，具有可持续运行、能耗低的显著优势，适合大中规模Cr(VI)污水的在线处理，尤其适合冶金和化工企业的Cr(VI)污水处理。
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