公开(公告)号：CN100426505C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200410062884.X

申请日：2004-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷俊文 ,  足立寿史 ,  中西佳代

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01P1/203 ,  H01Q1/526 ,  H01Q15/0013 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 在微分电容器(1)中，第一电容器(1003)和第二电容器(1004)以相对于一垂直平面B-B’彼此离基本上对称的位置形成在半导体基底(1020)上，该微分电容器(1)还包括插入在半导体基底(1020)和下电极(1016，1018)之间的屏蔽板(1022)。当各下电极(101，1018)沿垂直方向被投影到屏蔽板(1022)上时，各被投影的下电极(1016，1018)与屏蔽板(1022)有部分的重叠。

公开(公告)号：CN1577857A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410062884.X

申请日：2004-07-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中谷俊文 ,  足立寿史 ,  中西佳代

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01P1/203 ,  H01Q1/526 ,  H01Q15/0013 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 在微分电容器1中，第一和第二电容1003和1004以相对于一垂直平面B－B′彼此离基本上对称的位置形成在半导体基底1020上，该微分电容器1还包括插入在半导体基底1020和下电极1016与1018之间的屏蔽板1022。当各下电极1016和1018沿垂直方向被投影到屏蔽葩1022上时，各被投影的下电极1016和1018与屏蔽板1022有部分的重叠。