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公开(公告)号：CN1538421A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1－y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682297A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN100472626C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1-y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
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公开(公告)号：CN100341060C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1286102C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN02823910.5
申请日：2002-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/746 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B11/10515 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B11/10591
Abstract: 一种光磁记录介质，在该光磁记录介质的光盘的基板上包括至少具有再现层(13)、中间层(14)以及记录层(15)的记录膜(10)，其中记录膜(10)是磁耦合的且在垂直于膜表面的方向具有磁各向异性的磁性膜，在记录层(15)形成的记录磁畴被转写到再现层(13)，且记录信息通过再现层(13)中的磁畴壁移动而被再现，而且记录层(15)含有沿大致垂直方向取向的柱状结构。由此，为了信息记录再现的光点的衍射极限以下的信号可能以光速再现，能够大幅度提高记录密度以及传送速度，即使在高密度记录的场合也能够提供可能形成稳定的记录磁畴的光磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1599932A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02823910.5
申请日：2002-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B11/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B5/746 , G11B7/24076 , G11B7/24079 , G11B11/10515 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B11/10591
Abstract: 一种光磁记录介质，在该光磁记录介质的光盘的基板上包括至少具有再现层(13)、中间层(14)以及记录层(15)的记录膜(10)，其中记录膜(10)是磁耦合的且在垂直于膜表面的方向具有磁各向异性的磁性膜，在记录层(15)形成的记录磁畴被转写到再现层(13)，且记录信息通过再现层(13)中的磁畴壁移动而被再现，而且记录层(15)含有沿大致垂直方向取向的柱状结构。由此，为了信息记录再现的光点的衍射极限以下的信号可能以光速再现，能够大幅度提高记录密度以及传送速度，即使在高密度记录的场合也能够提供可能形成稳定的记录磁畴的光磁记录介质。
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