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公开(公告)号：CN1988172B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200610169050.8
申请日：2006-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0821 , H01L29/66318
Abstract: 本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。
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公开(公告)号：CN101320733A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810110388.5
申请日：2008-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L27/0623
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可防止集电极耐压的降低、使集电极电阻减小的半导体器件及其制造方法。本发明涉及的半导体器件具备在半绝缘性GaAs衬底的第1区域上形成的HBT、和在半绝缘性GaAs衬底的第2区域上形成的HFET，HBT具有在第1区域上依次形成的第1导电型的发射极层、带隙比发射极层小的第2导电型的基极层、第1导电型或无掺杂的集电极层、及杂质浓度比集电极层高的第1导电型的辅助集电极层；HFET具有由发射极层的一部分构成的电子供给层、和形成在电子供给层的下方的沟道层。
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公开(公告)号：CN101320733B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810110388.5
申请日：2008-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8249 , H01L21/8252 , H01L27/0623
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可防止集电极耐压的降低、使集电极电阻减小的半导体器件及其制造方法。本发明涉及的半导体器件具备在半绝缘性GaAs衬底的第1区域上形成的HBT、和在半绝缘性GaAs衬底的第2区域上形成的HFET，HBT具有在第1区域上依次形成的第1导电型的发射极层、带隙比发射极层小的第2导电型的基极层、第1导电型或无掺杂的集电极层、及杂质浓度比集电极层高的第1导电型的辅助集电极层；HFET具有由发射极层的一部分构成的电子供给层、和形成在电子供给层的下方的沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1897301A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101566.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/02
Abstract: 一种双极晶体管，其中将基极台面指(发射极凸出层15、基极层16和集电极层17)插入在两个集电极指(集电极电极13)之间，并且在该基极台面指上形成基极指(基极电极12)和该基极指两侧上的两个发射极指(发射极层14和发射极电极11)。这两个发射极指形成为相对于作为基准的基极指对称。
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公开(公告)号：CN101533841A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910126300.3
申请日：2009-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/417 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L21/8248 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0623 , H01L21/8248 , H01L27/0605 , H01L29/7371 , H01L29/802
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使具有折衷关系的HBT特性上的优点和HFET特性上的优点双方存在的半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件为Bi－HFET，HBT具有被依次层叠的辅助集电极层、GaAs集电极层、GaAs基极层以及InGaP(磷化镓铟)发射极层，辅助集电极层具有GaAs外部辅助集电极区域、以及位于GaAs外部辅助集电极区域上的GaAs内部辅助集电极区域，在GaAs外部辅助集电极区域上具有被隔离形成的台面状的集电极部和集电极电极，HFET具有由GaAs外部辅助集电极区域的一部分构成的GaAs覆盖层、以及在GaAs覆盖层上形成的源极电极和漏极电极。
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公开(公告)号：CN1988172A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169050.8
申请日：2006-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0821 , H01L29/66318
Abstract: 本发明的目的在于提供可以再现性良好且高成品率地制造的、在抗击穿性上优良的异质结双极晶体管，其特征在于，具备辅助集电极层、集电极层、以及具有比构成基极层的半导体还大的能带间隙的发射极层；集电极层具有形成在辅助集电极层上的第1集电极层、形成在第1集电极层上的第2集电极层、以及形成在第2集电极层和基极层之间的第3集电极层；构成第1集电极层的半导体不同于构成第3集电极层以及第2集电极层的半导体；第2集电极层的杂质浓度比辅助集电极层的杂质浓度还低，且比第3集电极层的杂质浓度还高。
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公开(公告)号：CN1855533A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073568.1
申请日：2006-04-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/66318
Abstract: 提供一种异质结双极晶体管，在高浓度n型的第一子集电极层(102)上，依次形成由带隙小的材料构成的高浓度n型的第二子集电极层(108)、i型或低浓度n型的集电极层(103)、高浓度p型的基极层(104)、由带隙大的材料构成的n型发射极层(105)、高浓度n型的发射极帽盖层(106)、和由带隙小的材料构成的高浓度n型的发射极接触层(107)。从发射极接触层(107)引出兼作发射极电极的布线(115A)，从发射极层(105)引出兼作基极电极的布线(115B)，从第二子集电极层(108)引出兼作集电极电极的布线(115C)。这样，可以缩小发射极尺寸，并且能够减少制造成本。
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公开(公告)号：CN1759481A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006662.4
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/73 , H01L27/06 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。
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