公开(公告)号：CN1667835A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510006553.9

申请日：2005-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小岛圭介 ,  反保敏治 ,  村山启一

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/66318

Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，其在半绝缘性基板(100)上依次形成第一集电极层(101)、第二集电极层(102)、基极层(103)、第一发射极层(104)及第二发射极层(105)。形成第二发射极层(105)图形后，对第二集电极层(102)的第二发射极层(105)的外侧区域注入离子，而形成非活性化区域(109)。对第二发射极层(105)进行侧面蚀刻，由此分离第二发射极层的一端和非活性化区域的一端，并且在第一发射极层(104)的第二发射极层(105)端与非活性化区域(109)端之间形成耗尽化区域(111)。因此，不增加工序数，实现通过注入离子降低基极·集电极之间电容、且没有晶体管特性劣化的高性能HBT。