公开(公告)号：CN102959712A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180015805.8

申请日：2011-06-17

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  川岛孝启 ,  钟之江有宣 ,  河内玄士朗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/7866

Abstract: 本发明的薄膜晶体管（10）具备：基板（1）；栅电极（2），其形成于基板上；栅极绝缘膜（3），其形成于栅电极上；结晶硅半导体层（4），其形成于栅极绝缘膜上；非晶硅半导体层（5），其形成于结晶硅半导体层上；有机保护膜（6），其形成于非晶硅半导体层上，由有机材料形成；源电极（8S）及漏电极（8D），其夹着有机保护膜而形成于非晶硅半导体层上，包含于非晶硅半导体层（5）的负载流子的电荷密度为3×1011cm-2以上。

公开(公告)号：CN103053026A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180017713.3

申请日：2011-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田悠治 ,  林宏 ,  川岛孝启 ,  西田健一郎

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件以及薄膜晶体管器件的制造方法，本发明的薄膜晶体管器件（10）是底栅型的薄膜晶体管器件，具备：形成于基板（1）上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上、具有沟道区域的结晶硅薄膜（4）；形成于包含沟道区域的结晶硅薄膜上的非晶硅薄膜（5）；以及形成于非晶硅薄膜上方的源电极（8S）和漏电极（8D），非晶硅薄膜的光学带隙与薄膜晶体管器件的截止电流具有正的相关关系。