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公开(公告)号：CN1280808C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01137293.1
申请日：2001-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515 , G11B11/10584
Abstract: 本发明提供一种在适用磁畴放大再现方式的光磁记录媒体中利用磁畴扩大的信息的再现时能抑制来自相邻的轨道的磁影响的光磁记录媒体。该媒体形成按顺序包含第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层的多层膜，第二磁性层的居里温度TC2比第一磁性层的居里温度TC1和第三磁性层的居里温度TC3都低，第三磁性层为垂直磁化膜。在小于TC2的温度区域中的至少一部分中，第一磁性层通过与第二磁性层的交换耦合垂直磁化，通过该交换耦合，第三磁性层的磁化经第二磁性层转录到第一磁性层。第二磁性层在室温下为面内磁化膜，在比室温高的临界温度TCR与TC2之间的温度区中，为成为垂直磁化膜的磁性膜。
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公开(公告)号：CN1591633A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068340.4
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26
Abstract: 一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过曝光使具有蚀刻层(102)以及形成在蚀刻层(102)上的光致抗蚀剂层(103)的原盘的光致抗蚀剂层(103)的特定部分(104)的结晶状态发生变化的工序；去除特定部分(104)的工序；去除与在光致抗蚀剂层(103)的去除部分重叠的部分蚀刻层(102)的工序；去除光致抗蚀剂层(103)，形成导电膜(105)的工序；以导电膜(105)作为电极进行电铸的工序；从导电膜(105)剥离蚀刻层(102)的工序。
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公开(公告)号：CN1698099A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000067.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0053 , G11B7/24079 , G11B7/268 , G11B20/00268
Abstract: 光记录介质，具有在形成作为主数据的凹坑列的基板上形成金属反射膜的主信息区域，以及通过部分去除上述金属反射膜后形成多个反射膜去除区域以记录用于个别识别光记录介质的介质识别信息的副信息区域，并通过光束照射上述金属反射膜来再生信息，在上述副信息区域内的上述基板上形成凹坑列或引导槽，该凹坑列或引导槽的轨道间距大于等于0.24μm小于等于0.45μm。
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公开(公告)号：CN1645496A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410104962.8
申请日：2004-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造光信息记录介质的原盘的方法；制造光信息记录介质的模子的方法；光信息记录介质的原盘和模子；和光信息记录介质，其中当在模子的一侧上录制预定图案的凹坑和/或槽时，通过减少无机材料的状态改变，使凹坑和/或槽的图案保持高质量的形状，即使使用无机材料作为抗蚀剂。一种制造在光信息记录介质的模子上录制预定图案的凹坑和/或槽的光信息记录介质的原盘106的方法，包括在基板101上形成包括第一无机材料的抗蚀剂102，第一无机材料的状态而曝光而改变，通过曝光和显影在抗蚀剂102上形成凹坑和/或槽的图案，和在凹坑和/或槽的图案上形成无机隔离层107。
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公开(公告)号：CN1591631A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057680.7
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G03F7/0042 , G03F7/0043 , G11B7/263
Abstract: 一种制造光信息记录介质的母板的方法，包括：抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面形成抗蚀层；曝光步骤，有选择性地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在执行曝光步骤之后，在抗蚀层上执行碱性显影处理。抗蚀剂主要由无机材料组成，并且至少包括锑和氧，此外还含有在碱性环境中比TeO2的溶解度更低的稳定化添加剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100345200C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410057680.7
申请日：2004-08-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G03F7/0042 , G03F7/0043 , G11B7/263
Abstract: 一种制造光信息记录介质的母板的方法，包括：抗蚀层形成步骤，使用抗蚀剂在衬底的上表面形成抗蚀层；曝光步骤，有选择性地曝光抗蚀层，以使抗蚀层中的状态发生变化；以及显影步骤，在执行曝光步骤之后，在抗蚀层上执行碱性显影处理。抗蚀剂主要由无机材料组成，所述无机材料至少包括碲、氧以及在碱性环境中比TeO2的溶解度更低的稳定化添加剂。
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公开(公告)号：CN1768382A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480008655.8
申请日：2004-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/24038 , G11B7/24085
Abstract: 本发明提供一种光存储介质，此光存储介质包括：在一个面上具有第1信息坑的第1衬底；在第1衬底的具有第1信息坑的面上，反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层；在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底；在第2衬底的具有第2信息坑的面上，反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层；在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d1)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n1)满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式。
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公开(公告)号：CN1349222A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01137293.1
申请日：2001-10-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/10593 , G11B11/10515 , G11B11/10584
Abstract: 本发明提供一种在适用磁畴放大再现方式的光磁记录媒体中利用磁畴扩大的信息的再现时能抑制来自相邻的轨道的磁影响的光磁记录媒体。该媒体形成按顺序包含第一磁性层、第二磁性层和第三磁性层的多层膜,第二磁性层的居里温度TC2比第一磁性层的居里温度TC1和第三磁性层的居里温度TC3都低,第三磁性层为垂直磁化膜。在小于TC2的温度区域中的至少一部分中,第一磁性层通过与第二磁性层的交换耦合垂直磁化,通过该交换耦合,第三磁性层的磁化经第二磁性层转录到第一磁性层。第二磁性层在室温下为面内磁化膜,在比室温高的临界温度TCR与TC2之间的温度区中,为成为垂直磁化膜的磁性膜。
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公开(公告)号：CN100454414C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480008655.8
申请日：2004-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/24038 , G11B7/24085
Abstract: 本发明提供一种光存储介质，此光存储介质包括：在一个面上具有第1信息坑的第1衬底；在第1衬底的具有第1信息坑的面上，反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层；在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底；在第2衬底的具有第2信息坑的面上，反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层；在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d1)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n1)满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1)，而且，d1≠λ/(4n1)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2)，而且，d2≠λ/(4n2)的关系式。
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公开(公告)号：CN100390886C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410068340.4
申请日：2004-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26
Abstract: 一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过曝光使具有蚀刻层(102)以及形成在蚀刻层(102)上的光致抗蚀剂层(103)的原盘的光致抗蚀剂层(103)的特定部分(104)的结晶状态发生变化的工序；去除特定部分(104)的工序；去除与在光致抗蚀剂层(103)的去除部分重叠的部分蚀刻层(102)的工序；去除光致抗蚀剂层(103)，形成导电膜(105)的工序；以导电膜(105)作为电极进行电铸的工序；从导电膜(105)剥离蚀刻层(102)的工序。
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