公开(公告)号：CN1008224B

公开(公告)日：1990-05-30

申请号：CN85105409

申请日：1985-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木村邦夫 ,  高尾正敏 ,  赤平信夫 ,  竹永睦生

IPC: G11B7/24

Abstract: 一种光学记录材料，它由基板及涂敷在基板上的薄膜光敏层组成。当光敏层被光能照射时，它的状态可在低光密度态和高光密度态之间变化。光敏层由碲-钯-氧(Te-Pd-O)构成。其中，钯的原子数比为5～40%(原子百分比)，氧占20～60%。结果，可得到一种对光能照射高速响应的光学记录材料。该光学记录材料可采用二源蒸镀源方式制作。其中一个源是钯，另一个源是TeO2及作为还原剂的金属粉末的烧结物。

公开(公告)号：CN1064822A

公开(公告)日：1992-09-30

申请号：CN92101489.9

申请日：1992-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野之良 ,  木村邦夫 ,  胁田英延 ,  山出恭枝 ,  西田博史

IPC: B01J35/02 ,  B01J20/18 ,  B01J20/34 ,  B01J23/42 ,  B01D53/04 ,  B01D53/36 ,  A61L9/00

CPC classification number: B01J29/068 ,  B01D53/86 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/0246

Abstract: 由基材以及基材表面上形成的至少由活性氧化铝，沸石，铂族金属和无机粘合剂组成的催化剂涂层而构成的催化剂体。不加热时沸石和氧化铝吸附臭气成分，加热时沸石和氧化铝加热再生且臭气成分催化分解，如此往复长时间操作，可在不使催化剂体周围温度过分上升的情况下连续除去恶臭。

公开(公告)号：CN85105409A

公开(公告)日：1987-01-14

申请号：CN85105409

申请日：1985-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木村邦夫 ,  高尾正敏 ,  赤平信夫 ,  竹永睦生

IPC: G11B7/26

Abstract: 一种光学记录材料，它由基板及涂敷在基板上的 薄膜光敏层组成。当光敏层被光能照射时，它的状态 可在低光密度态和高光密度态之间变化。光敏层由 碲-钯-氧(Te-Pd-O)构成。其中，钯的原子数比 为5～40％(原子百分比)，氧占20～60％。结果，可得 到一种对光能照射高速响应的光学记录材料。该光 学记录材料可采用二源蒸镀源方式制作。其中一个 源是钯，另一个源是TeO2及作为还原剂的金属粉末 的烧结物。

公开(公告)号：CN1036250C

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN92101489.9

申请日：1992-03-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野之良 ,  木村邦夫 ,  胁田英延 ,  山出恭枝 ,  西田博史

IPC: B01J35/02 ,  B01J20/18 ,  B01J20/34 ,  B01J23/42 ,  B01D53/04 ,  B01D53/86 ,  A61L9/00

CPC classification number: B01J29/068 ,  B01D53/86 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/0246

Abstract: 由基材以及基材表面上形成的至少由活性氧化铝，沸石，铂族金属和无机粘合剂组成的催化剂淅层而构成的除臭催化剂体。不加热时沸石和氧化铝吸附臭气成分，加热时沸石和氧化铝加热再生且臭气成分催化分解，如此往复长时间操作，可在不使除臭催化剂体周围温度过分上升的情况下连续除去恶臭。

公开(公告)号：CN1010519B

公开(公告)日：1990-11-21

申请号：CN86107003

申请日：1986-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田昇 ,  木村邦夫 ,  高尾正敏 ,  佐内进

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/257 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10S430/146

Abstract: 用激光对情报进行记录、重放、抹除及改写的相变化型的可逆光学情报记录介质，是在玻璃、树脂等表面平滑的基片上涂复Ge、Te、Sb(或Bi)三元素、或将Te的一部分置换成Se的四元素记录薄膜。该介质在其结晶时有以多个Te或Se构成化学量组成的化合物为主的结晶相，且各成分间存在化学量组成的稳定化合物相，从而提高了结晶速度及延长了反复记录/抹除的寿命，提高Se粘性可易于结晶化。如Te置换量适当，可得到记录/及消除兼优的膜的组成。

公开(公告)号：CN86107003A

公开(公告)日：1987-08-19

申请号：CN86107003

申请日：1986-09-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田升 ,  木村邦夫 ,  高尾正敏 ,  佐内进

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/257 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  Y10S430/146

Abstract: 用激光对情报进行记录、重放、抹除及改写的相变化型的可逆光学情报记录介质，是在玻璃、树脂等表面平滑的基片上涂复Ge、Te、Sb(或Bi)三元素、或将Te的一部分置换成Se的四元素记录薄膜。该介质在其结晶时有以多个Te或Se构成化学量组成的化合物为主的结晶相，且各成分间存在化学量组成的稳定化合物相，从而提高了结晶速度及延长了反复记录/抹除的寿命，提高Se粘性可易于结晶化。如Te置换量适当，可得到记录/抹除兼优膜的组成。