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公开(公告)号:CN101233688A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200680028290.4
申请日:2006-08-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 桂昭仁
IPC: H03K19/173
CPC classification number: H03K19/17744 , H03K19/1778 , H03K19/17784
Abstract: PLA包括:输入平面(10),其具有多条数据线(103)、和电压电平根据对该多条数据线的信号输入来变化的多条积项线(104);以及输出平面(20),其具有电压电平根据输入平面上的多条积项线的电压电平变化来进行变化的多条积项线(204)、和输出与该多条积项线的电压电平对应的信号的多条数据线(203)。此处,在输入平面和输出平面的至少一方上的多条数据线的至少一条的两端上具备数据端子(101)。
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公开(公告)号:CN102365839A
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201080014271.2
申请日:2010-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04L9/0866 , G06F21/10 , G06F21/556 , G06F21/72 , G06F2221/0797 , H04L9/0822 , H04L9/0897 , H04L9/321 , H04L63/0428 , H04L63/06 , H04L63/10 , H04L2209/605 , H04L2463/101
Abstract: 本发明提供一种防止各种信息泄露或不正当行为,并且实现扩展性和低成本的密钥安装系统。LSI(10)具有:第一解码部(101),其接受第一加密密钥数据,使用第一加密密钥对第一加密密钥数据进行解码来生成第一解码密钥数据;第二加密密钥生成部(105),其根据第二ID,生成第二加密密钥;第二加密部(103),其使用第二加密密钥对第一解码密钥数据进行加密来生成第二加密密钥数据;和第二解码部(104),其使用第二加密密钥对第二加密密钥数据进行解码来生成第二解码密钥数据。在密钥安装时,第二加密部(103)在存储部(11)中存储第二加密密钥数据。在密钥使用时,第二解码部(104)从存储部(11)读取第二加密密钥数据。
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公开(公告)号:CN102365839B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201080014271.2
申请日:2010-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04L9/0866 , G06F21/10 , G06F21/556 , G06F21/72 , G06F2221/0797 , H04L9/0822 , H04L9/0897 , H04L9/321 , H04L63/0428 , H04L63/06 , H04L63/10 , H04L2209/605 , H04L2463/101
Abstract: 本发明提供一种防止各种信息泄露或不正当行为,并且实现扩展性和低成本的密钥安装系统。LSI(10)具有:第一解码部(101),其接受第一加密密钥数据,使用第一加密密钥对第一加密密钥数据进行解码来生成第一解码密钥数据;第二加密密钥生成部(105),其根据第二ID,生成第二加密密钥;第二加密部(103),其使用第二加密密钥对第一解码密钥数据进行加密来生成第二加密密钥数据;和第二解码部(104),其使用第二加密密钥对第二加密密钥数据进行解码来生成第二解码密钥数据。在密钥安装时,第二加密部(103)在存储部(11)中存储第二加密密钥数据。在密钥使用时,第二解码部(104)从存储部(11)读取第二加密密钥数据。
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公开(公告)号:CN1542960A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200410043422.3
申请日:2004-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于:实现能够防止因噪声引起的电路误动作的半导体器件而不招致因扩大信号布线间隔和向信号布线间插入屏蔽线或者屏蔽层而引起的电路集成度的降低。该半导体器件是在硅半导体衬底上层叠了3层以上的布线层的多层布线结构的半导体器件,配备:用第(N-1)层布线层形成,构成闩锁电路的第1信号线;具有与第1信号线交叉或者一部分重叠配置的部分,用第(N+1)层布线层形成的第2信号线;以及在第1信号线与第2信号线之间,在第2信号线的正下部,用第N层布线层形成,具有作为屏蔽布线功能的电源布线。
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公开(公告)号:CN100383966C
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200410043422.3
申请日:2004-04-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于:实现能够防止因噪声引起的电路误动作的半导体器件而不招致因扩大信号布线间隔和向信号布线间插入屏蔽线或者屏蔽层而引起的电路集成度的降低。该半导体器件是在硅半导体衬底上层叠了3层以上的布线层的多层布线结构的半导体器件,配备:用第(N-1)层布线层形成,构成闩锁电路的第1信号线;具有与第1信号线交叉或者一部分重叠配置的部分,用第(N+1)层布线层形成的第2信号线;以及在第1信号线与第2信号线之间,在第2信号线的正下部,用第N层布线层形成,具有作为屏蔽布线功能的电源布线。
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