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公开(公告)号：CN102017211A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116571.9
申请日：2009-03-12
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 乔纳森·杰姆斯·迈克尔·霍尔 , 克雷格·墨菲 , 森清隆
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , C08G61/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/92 , H01L51/0022 , H01L51/0037 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 一种有机薄膜晶体管，包括源电极和漏电极(13、14)、设在所述源电极和漏电极间沟道区中的有机半导体(15)、栅电极(12)以及设在所述源电极及漏电极与所述栅电极之间的介电体(11)，其中所述源电极与所述漏电极包括至少一种互不相同的的物理性质及/或材料性质。
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公开(公告)号：CN102017211B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980116571.9
申请日：2009-03-12
Applicant: 剑桥显示技术有限公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 乔纳森·杰姆斯·迈克尔·霍尔 , 克雷格·墨菲 , 森清隆
IPC: H01L51/10
CPC classification number: H01L51/105 , C08G61/126 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/92 , H01L51/0022 , H01L51/0037 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 一种有机薄膜晶体管，包括源电极和漏电极(13、14)、设在所述源电极和漏电极间沟道区中的有机半导体(15)、栅电极(12)以及设在所述源电极及漏电极与所述栅电极之间的介电体(11)，其中所述源电极与所述漏电极包括至少一种互不相同的物理性质及/或材料性质。
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公开(公告)号：CN101542735B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880000488.0
申请日：2008-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种有机电致发光器件，其包括：半导体元件A，其具有源电极和漏电极、以及栅电极；半导体元件B，其具有源电极和漏电极、以及与所述半导体元件A的源电极或漏电极连接的栅电极；以及有机电致发光元件，其具有与所述半导体元件B的漏电极连接的像素电极，所述半导体元件A的源电极和漏电极、以及所述半导体元件B的栅电极被配置在同一平面上。
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公开(公告)号：CN101542735A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000488.0
申请日：2008-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种有机电致发光器件，其包括：半导体元件A，其具有源电极和漏电极、以及栅电极；半导体元件B，其具有源电极和漏电极、以及与所述半导体元件A的源电极或漏电极连接的栅电极；以及有机电致发光元件，其具有与所述半导体元件B的漏电极连接的像素电极，所述半导体元件A的源电极和漏电极、以及所述半导体元件B的栅电极被配置在同一平面上。
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