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公开(公告)号：CN101069238A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580040945.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质及其制造方法，其中作为电介质层材料不含有硫，信号质量高且重写特性优秀，且减少了层数的低成本的信息记录介质。因此，在记录或再生信息的信息记录介质中，具有含Ce－F的层，含Ce－F的层作为电介质层。
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公开(公告)号：CN102918593A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201280001449.9
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2578 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/24027 , G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。
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公开(公告)号：CN102884577A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001113.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/241 , G11B7/2548 , G11B7/257 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24041 , G11B7/252 , G11B7/2578 , G11B7/266
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整层和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。
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公开(公告)号：CN101317225A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044701.9
申请日：2006-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/462 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/505 , C04B35/553 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , G11B7/00454 , G11B7/0062 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种不含S元素的电介质材料，并提供一种即使在反射层和电介质层之间不设置界面层、仍能得到高信号品质且记录灵敏度及重写特性优良的信息记录介质。为此，在本申请中，信息记录介质至少具备记录层，所述记录层因照射激光束或者施加电流而发生相变，其具备包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物－氟化物电介质层，其中，M1为选自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一种元素，M2为选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN100570722C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101223591A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026165.X
申请日：2006-07-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法，在构成单面具有多个信息层(1、2)的信息记录介质的至少两个信息层中，一个信息层(1)中所含的记录层(7)及与之邻接设置的电介质层(6、8)的组成与另一个信息层中所含的这些层(12、11、13)的组成相同，由此，可不进行靶更换地在相同的溅射成膜室分别形成两个信息层(1、2)的记录层(7、12)及电介质层(6、11)(8、13)，从而可减少生产时的损耗时间而制造单面多层结构的介质。
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公开(公告)号：CN1922673A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005490.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11C13/0004 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、并且重复重写性能优异的信息记录介质。为此，在基板(14)上至少具备通过照射激光束或外加电流而可记录及/或再生信息的记录层(104)、和第2电介质层(106)的信息记录介质(15)中，第2电介质层(106)含有M1(其中，M1为从Sc、Y、La、Gd、Dy及Yb中选择的至少一种元素)和O。
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公开(公告)号：CN102067217B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980100889.8
申请日：2009-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/26
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明通过具有初始化用波长的第1光束(A)对记录膜的一部分进行部分初始化，通过具有与用于记录再现信息的波长对应波长的第2光束(B)，对信息记录介质进行聚焦调整，通过第1光束(A)进行记录膜的初始化，由此能够使具有多个信息层的多层信息记录介质的全部信息层的记录膜可靠地初始化。
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公开(公告)号：CN102067217A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980100889.8
申请日：2009-09-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26 , G11B7/0055 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/1275 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明通过具有初始化用波长的第1光束(A)对记录膜的一部分进行部分初始化，通过具有与用于记录再现信息的波长对应波长的第2光束(B)，对信息记录介质进行聚焦调整，通过第1光束(A)进行记录膜的初始化，由此能够使具有多个信息层的多层信息记录介质的全部信息层的记录膜可靠地初始化。
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公开(公告)号：CN1954376A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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