公开(公告)号：CN1213849A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98120824.X

申请日：1998-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  足立和泰 ,  福本彻

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/18 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621

Abstract: 在具有LDD构造的半导体的制造方法中,在杂质注入时,把发生分子量等,甚至于向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间,在将其离子化后,用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时,若是顶栅型的晶体管的话,在半导体区域上的栅电极就作成起掩模作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话,就使用掩模或抗蚀剂。并且,掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后,根据需要,进行杂质的激活。在以上,只有一次杂质的注入,就制造出具有LDD构造的半导体。

公开(公告)号：CN1146971C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98120824.X

申请日：1998-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  足立和泰 ,  福本彻

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/18 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621

Abstract: 本发明涉及晶体管的制造方法。在具有LDD构造的半导体的制造方法中，在杂质注入时，向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间，在将其离子化后，用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时，若是顶栅型的晶体管的话，在半导体区域上的栅电极就作成起掩膜作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话，就使用掩膜或抗蚀剂。并且，掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后，根据需要，进行杂质的激活。在以上，只用一次杂质的注入，就制造出具有LDD构造的半导体。