公开(公告)号：CN101404284A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810168914.3

申请日：2008-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田裕二 ,  泽田和幸 ,  庭山雅彦 ,  置田胜昭

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823418

Abstract: 本发明以低成本提供混载有周边电路和抑制导通电阻的上升、具有高ESD抵抗性、闭锁抵抗性的横型高耐压晶体管的半导体装置。N型高浓度源极区域(107)的扩散层深度比N型低浓度源极区域(105b)的更深。另外，在N型低浓度源极区域(105b)的扩散层的下侧形成有P型基板接点区域(115a)。N型MOSFET的N型源极/漏极区域(105a)和横型高耐压MOS晶体管区域(203)的N型低浓度源极区域(105b)通过同一工序形成，P型MOSFET的P型源极/漏极区域(106)和P型基板接点区域(115a、115b)通过同一工序形成。半导体装置及其制造方法。