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发明公开
太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法无效

公开(公告)号：CN110098266A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910080304.6

申请日：2019-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤嶋大介 , 片山博贵

IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20

Abstract: 本发明的太阳能单电池(1)包括：具有p型表面和n型表面的光电转换部(20)、p侧导电体(50a)、p侧Sn层、n侧导电体(40a)、n侧Sn层、形成于p型表面(20bp)和p侧导电体(50a)之间的p侧种子层(54)、形成于n型表面(20bn)和n侧导电体(40a)之间的n侧种子层(44)、覆盖p侧种子层(54)且由与p侧种子层(54)不同的金属构成的p侧金属层(57)、覆盖n侧种子层(44)且由与n侧种子层(44)不同的金属构成的n侧金属层(47)。另外，铜对于p侧金属层(57)的扩散系数比铜对于p侧Sn层(56)的扩散系数小。而且，铜对于n侧金属层(47)的扩散系数比铜对于n侧Sn层(46)的扩散系数小。

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