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公开(公告)号：CN111699564A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880089047.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: H01L41/193 , B29C55/06 , B29C71/02 , G01N25/16 , H01L41/257 , H01L41/333 , H01L41/45
Abstract: 本发明提供一种能抑制压电常数d31的降低的压电体膜、压电体膜的制造方法以及压电体器件。一种压电体膜，其包含氟树脂作为压电材料，所述氟树脂包含源自偏氟乙烯的重复单元作为主要的构成单元，所述压电体膜的压电常数d31为20pC/N以上，并且，通过TMA测定求出的收缩开始的外推起始温度为90℃以上且115℃以下。在将压电体膜在100℃下加热24小时的前后测定出的压电常数d31之差相对于加热24小时前的压电常数d31为20％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109923158A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201880004276.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社吴羽
Abstract: 本申请的偏氟乙烯系树脂膜是使用至少含有偏氟乙烯系树脂以及无机粒子的膜用组合物而制作的，所述偏氟乙烯系树脂膜的至少一面具有多个突起。在多个突起之中从不存在突起的平滑面起超过0.10μm的突起数量是对应偏氟乙烯系树脂膜每0.10mm2为7.0个以上50个以下。
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公开(公告)号：CN110036062B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880004593.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社吴羽
Abstract: 本申请的偏氟乙烯系树脂膜是使用至少含有偏氟乙烯系树脂以及有机粒子的膜用组合物而制作的，所述偏氟乙烯系树脂膜的至少一面具有多个突起。在所述多个突起之中，从不存在突起的平滑面起超过0.10μm的突起数量是对应所述偏氟乙烯系树脂膜每0.10mm2为40个以上400个以下。
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公开(公告)号：CN111699564B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880089047.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: H10N30/857 , B29C55/06 , B29C71/02 , G01N25/16 , H10N30/045 , H10N30/084 , H10N30/098
Abstract: 本发明提供一种能抑制压电常数d31的降低的压电体膜、压电体膜的制造方法以及压电体器件。一种压电体膜，其包含氟树脂作为压电材料，所述氟树脂包含源自偏氟乙烯的重复单元作为主要的构成单元，所述压电体膜的压电常数d31为20pC/N以上，并且，通过TMA测定求出的收缩开始的外推起始温度为90℃以上且115℃以下。在将压电体膜在100℃下加热24小时的前后测定出的压电常数d31之差相对于加热24小时前的压电常数d31为20％以下。
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公开(公告)号：CN109923158B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201880004276.3
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社吴羽
Abstract: 本申请的偏氟乙烯系树脂膜是使用至少含有偏氟乙烯系树脂以及无机粒子的膜用组合物而制作的，所述偏氟乙烯系树脂膜的至少一面具有多个突起。在多个突起之中从不存在突起的平滑面起超过0.10μm的突起数量是对应偏氟乙烯系树脂膜每0.10mm2为7.0个以上50个以下。
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公开(公告)号：CN110036062A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201880004593.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 株式会社吴羽
Abstract: 本申请的偏氟乙烯系树脂膜是使用至少含有偏氟乙烯系树脂以及有机粒子的膜用组合物而制作的，所述偏氟乙烯系树脂膜的至少一面具有多个突起。在所述多个突起之中，从不存在突起的平滑面起超过0.10μm的突起数量是对应所述偏氟乙烯系树脂膜每0.10mm2为40个以上400个以下。
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