公开(公告)号：CN105938807A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610124432.2

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 阿部诚 ,  河原崎光 ,  谷村英昭 ,  古川雅志

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够使基板的面内温度分布均匀的热处理装置。从多个卤素灯(HL)对在腔室内由保持部保持的半导体晶片(W)照射卤素光而进行加热。在卤素灯(HL)与半导体晶片(W)之间，设置着由不透明石英形成的圆筒形状的遮光体(21)及圆环形状的遮光部件(25)。遮光部件(25)的外径小于遮光体(21)的内径。从卤素灯(HL)出射并透过产生在遮光体(21)的内壁面与遮光部件(25)的外周之间的间隙的光照射在容易产生温度下降的半导体晶片(W)的周缘部。另一方面，朝向过热区域的光被遮光部件(25)遮蔽，所述过热区域在仅设置遮光体(21)时产生在半导体晶片(W)的面内且温度比其他区域高。

公开(公告)号：CN105938807B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201610124432.2

申请日：2016-03-04

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 阿部诚 ,  河原崎光 ,  谷村英昭 ,  古川雅志

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够使基板的面内温度分布均匀的热处理装置。从多个卤素灯(HL)对在腔室内由保持部保持的半导体晶片(W)照射卤素光而进行加热。在卤素灯(HL)与半导体晶片(W)之间，设置着由不透明石英形成的圆筒形状的遮光体(21)及圆环形状的遮光部件(25)。遮光部件(25)的外径小于遮光体(21)的内径。从卤素灯(HL)出射并透过产生在遮光体(21)的内壁面与遮光部件(25)的外周之间的间隙的光照射在容易产生温度下降的半导体晶片(W)的周缘部。另一方面，朝向过热区域的光被遮光部件(25)遮蔽，所述过热区域在仅设置遮光体(21)时产生在半导体晶片(W)的面内且温度比其他区域高。