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公开(公告)号：CN102983498B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210493444.4
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层。
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公开(公告)号：CN102077428A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125447.9
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。
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公开(公告)号：CN102983498A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210493444.4
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件及具有该激光器件的阵列、设备、模块和系统。垂直腔表面发射激光器件包括：包括有源层的谐振器结构；以及半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括多对第一层和第二层，第一层和第二层具有不同的折射率，其中，第二层比第一层具有更高的导热率，半导体多层反射器包括第一局部反射器和第二局部反射器，第一局部反射器包括至少一对，其中第二层在光学厚度上大于第一层，第二局部反射器设置在第一局部反射器和谐振器结构之间，并且包括至少一对，其中，第一层和第二层中每一个在光学厚度上都小于第一局部反射器的第二层的。
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公开(公告)号：CN102077428B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980125447.9
申请日：2009-04-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器件，其相对于衬底垂直发射光，并且包括：包括有源层的谐振器结构；和半导体多层反射器，该半导体多层反射器设置成在其间夹置该谐振器结构，并且包括限制结构，该限制结构同时限制注入的电流和振荡光的横向模式，所述限制结构具有氧化区域，该氧化区域围绕电流通过区域，氧化区域是通过氧化包含铝的选择性氧化层来形成的并包括至少一种氧化物，其中，所述选择性氧化层在厚度上至少为25nm；且所述半导体多层发射器包括减小在横向上的光学限制的光学限制减弱区域，并且该光学限制减弱区域相对于谐振器结构设置在衬底侧上。
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