公开(公告)号：CN1738046A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510086083.1

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 白水信弘 ,  中村宝弘 ,  增田彻 ,  笠信博 ,  森博志

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01F17/0006 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03B5/1215 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1271 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种减低因电感器引起的干扰并高性能化的装载高频电路的半导体装置。半导体装置具备：调制电路，用来通过基带信号对载波进行调制并输出RF信号；解调电路，用来采用载波对RF信号进行解调并获得基带信号；局部振荡电路，用来生成上述载波；在这种半导体装置中，使用具有闭合布线的电感器。采用闭合布线，来减低通过互感而产生的干扰。例如，在对调制电路使用电感器(61、62)时，在包围电感器的外围配置闭合布线(63)。

公开(公告)号：CN100530648C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510086083.1

申请日：2005-07-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 白水信弘 ,  中村宝弘 ,  增田彻 ,  笠信博 ,  森博志

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01F17/0006 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H03B5/1215 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1243 ,  H03B5/1271 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种减低因电感器引起的干扰并高性能化的装载高频电路的半导体装置。半导体装置具备：调制电路，用来通过基带信号对载波进行调制并输出RF信号；解调电路，用来采用载波对RF信号进行解调并获得基带信号；局部振荡电路，用来生成上述载波；在这种半导体装置中，使用具有闭合布线的电感器。采用闭合布线，来减低通过互感而产生的干扰。例如，在对调制电路使用电感器(61、62)时，在包围电感器的外围配置闭合布线(63)。

公开(公告)号：CN101414805A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810166541.6

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 白水信弘 ,  增田彻

IPC: H03F1/34 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F3/50 ,  H03F1/342 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/135 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/5036 ,  H03G1/0023

Abstract: 一种内置有可变增益放大器的半导体集成电路，该可变增益放大器具有偏置电路(BC)(1)、匹配电路(MC)(2)、可变增益电阻反馈放大器(FA)(3)、输出跟随器(EA)(4)。负载电阻(Rc)和反馈电阻(Rf)的电阻值协调性地改变。由于使低噪声放大器为高增益，因而处于负载电阻的高电阻时反馈电阻也为高电阻，可变增益电阻反馈放大器(3)的闭环的反馈时间常数τfb(c1)≒2π·RfCbe/(1+gmRc)大致恒定，在宽带下具有频率依赖性较小的增益。由于使低噪声放大器为低增益，因而处于负载电阻的低电阻时反馈电阻也为低电阻。负反馈量随着低电阻的反馈电阻而增大，成为低增益。负载电阻也为低增益，反馈时间常数τfb(c1)大致恒定，在高频区域下不会进一步降低增益。