公开(公告)号：CN103094351B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210247010.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  朴世容 ,  朴埈贤 ,  金建熙 ,  林志勋 ,  李京垣 ,  钉宫敏洋 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  岸智也 ,  田尾博昭 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板；栅极线，栅极线设置在第一基板上，并包括栅电极；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极线上；半导体层，半导体层设置在栅极绝缘层上；数据线，数据线设置在半导体层上，并连接到源电极；漏电极，漏电极设置在半导体层上，并面对源电极；钝化层，钝化层设置在数据线上，其中，半导体层包含含有铟、锡和锌的氧化物半导体。铟以大约5原子百分比(at％)至大约50at％的量存在，其中，锌与锡的比为大约1.38至大约3.88。

公开(公告)号：CN104272463B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

公开(公告)号：CN104756257A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201380054436.2

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  前田刚彰 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  具素英 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供在氧化物半导体层与保护膜的界面形成的突起的形态被适当地控制、发挥稳定的特性的薄膜晶体管。该薄膜晶体管在以下方面具有特征，即，具有由作为金属元素至少含有In、Zn和Sn的氧化物构成的氧化物半导体层和与该氧化物半导体层直接接触的保护膜，在所述氧化物半导体层的与所述保护膜直接接触的面上形成的突起的最大高度低于5nm。

公开(公告)号：CN104272463A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源-漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

公开(公告)号：CN105814681B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201480065043.6

申请日：2014-11-26

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  神钢力得米克株式会社

Inventor： 田尾博昭 ,  一原主税 ,  慈幸范洋 ,  田内裕基 ,  三井俊幸

IPC: H01L23/12 ,  B23K1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。

公开(公告)号：CN104584200B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104620365A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044401.0

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  田尾博昭 ,  广濑研太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的氧化物半导体层、配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素是从In、Ga、Zn和Sn所构成的组中选择的至少一种(其中，构成所述氧化物半导体层的金属元素由Sn与In和/或Zn构成的除外。)，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104603919A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380045020.4

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  朴辰玄 ,  金连洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，其在具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的单层的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置于栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成氧化物半导体层的金属元素由In、Zn及Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104584200A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源-漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN106431011B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201610390354.0

申请日：2016-06-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 慈幸范洋 ,  川上信之 ,  田尾博昭

IPC: C03C17/36

Abstract: 本发明目的在于得到银不凝集而能够发挥良好的光学特性的层叠膜、和使用其的热线反射材。本发明的层叠膜是在隔着第一金属氧化物层而层叠有第一银合金层和第二银合金层的第一层叠体的两侧分别具有1个以上的第二层叠体的层叠膜，其中，在第二层叠体中层叠有第二金属氧化物层和折射率比第二金属氧化物层大的高折射率层，所述第一和第二银合金层是含有(a)Cu和Pd、(b)Cu和Nd、(c)Bi和Zn、(d)Bi和Nd、(e)Bi中的任意一组作为合金元素的银合金，所述第一和第二金属氧化物层的波长200～1000nm的平均折射率低于2.0，所述高折射率层的波长200～1000nm的平均折射率为2.0以上。