公开(公告)号：CN102575013A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080044829.1

申请日：2010-10-01

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 原宪司 ,  小林纯 ,  横田洋大 ,  森田博 ,  斋藤诚一

IPC: C08G77/62 ,  C01B21/068 ,  C01B21/087 ,  C08L83/16 ,  C09D5/25 ,  C09D183/16 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: C08G77/62 ,  C08G77/12 ,  C08L83/16 ,  C09D1/00 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  Y10T428/24008

Abstract: 本发明提供在水蒸气中的焙烧工序中的收缩小、不易发生二氧化硅覆膜的龟裂或与半导体基板的剥离的绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法。该绝缘膜形成用涂布液具有无机聚硅氮烷和有机溶剂，在所述无机聚硅氮烷的1H-NMR谱中，来自SiH1基和SiH2基的4.5～5.3ppm的峰面积与来自SiH3基的4.3～4.5ppm的峰面积之比为4.2～50。绝缘膜使用上述绝缘膜形成用涂布液而得到。无机聚硅氮烷是通过使二卤代硅烷化合物、三卤代硅烷化合物或它们的混合物与碱反应形成加合物后，使加合物的溶液或分散液与氨在-50～-1℃下反应而得到的。