光激发磁传感器和脑磁仪
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119535310A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411198597.5

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明提供一种光激发磁传感器和脑磁仪。光激发磁传感器包括:单元;使泵浦光沿着第1方向入射到单元的内部的灵敏度区域的泵浦光入射部;使用于检测电子自旋的变化的探测光沿着与第1方向交叉的方向入射到灵敏度区域的探测光入射部;向单元的内部施加沿着第1方向的偏置磁场,来决定电子自旋的共振频率的偏置磁场线圈;校正偏置磁场的梯度的梯度校正线圈;使电子自旋的旋转轴方向倾斜的电子自旋倾动部;检测通过灵敏度区域后的探测光的光传感器;和基于光传感器的输出测量灵敏度区域的磁场强度的磁场测量部。

    光电面电子源
    2.
    发明公开
    光电面电子源 审中-实审

    公开(公告)号:CN115943478A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202180051154.1

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明的光电面电子源(1)具备:玻璃基板(40),其自包含微透镜(41)的基板受光面(50a)接收激光(101),且使激光(101)朝向与基板受光面(50a)为相反侧的基板主面(43)会聚;光电面(50),其设置于基板主面(43),且接收经会聚的激光(101)并放出光电子(102);及引出电极(60),其固定于基板主面(43),且自光电面(50)引出光电子(102)。引出电极(60)具有:电极部(62),其沿基板主面(43)的法线方向(N)与光电面(50)分开而配置,且设置有使光电子(102)通过的电极孔(62H);及框部(61),其在基板主面(43)上固定于包围光电面(50)的区域。

    脑测量装置和脑测量方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113805122A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110661667.6

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 脑测量装置(M1)具备:脑磁计,具有:光激发磁传感器(1A)、测量光激发磁传感器(1A)的位置的地磁的磁传感器(2)、测量光激发磁传感器(1A)的位置的变化磁场的磁传感器(3)、用于修正地磁的修正线圈(7、8),以及用于修正变化磁场的主动屏蔽线圈(9);MRI装置,具有:用于施加静磁场和倾斜磁场的修正磁线圈(7、8)、发送发送脉冲的发送线圈(21),以及检测核磁共振信号的接收线圈(22);以及控制装置(5),其在脑磁场的测量时,基于磁传感器(2、3)的测量值,来控制供给至修正线圈(7、8)以及主动屏蔽线圈(9)的电流,在MR图像的测量时,控制供给至修正线圈(7、8)的电流,并且控制静磁场和倾斜磁场,并且从接收线圈(22)的输出而生MR图像。

    脑磁计和脑磁场测定方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113796864A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110661677.X

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 脑磁计(M1),具备:多个光激发磁传感器(1A),测量脑磁场;多个地磁磁场修正用磁传感器(2),测量多个光激发磁传感器(1A)的各个的位置处的与地磁相关的磁场;多个有源屏蔽用磁传感器(3),测量多个光激发磁传感器(1A)的各个的位置处的变化磁场;地磁磁场修正线圈;有源屏蔽线圈(9);控制装置(5),基于多个地磁磁场修正用磁传感器(2)的测量值,确定产生抵消与地磁相关的磁场的磁场的电流,并且基于多个有源屏蔽用磁传感器(3)的测量值,确定产生抵消与变化磁场的磁场的电流,并且输出对应于确定的电流的控制信号;以及线圈电源(6),根据控制信号,将电流输出至各线圈。

    X射线产生装置及X射线产生方法

    公开(公告)号:CN104285270A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201380024680.4

    申请日:2013-03-15

    Abstract: 本发明的X射线产生装置(1)具备:电子枪部(3),其射出电子束(EB);靶部(T),具有由钻石所构成的基板(21)、及由通过电子束(EB)的入射而产生X射线(XR)的材料所构成且紧贴地埋设于基板(21)的靶体(23)。靶体(23)的外径是0.05~1μm的范围。电子束(EB)的靶部(T)上的照射域的外径为靶体(23)的外径的1.1~2.5倍的范围。X射线产生装置(1)以靶体(23)包含于照射域的方式将电子束(EB)照射于靶体(23),由此从靶体(23)产生X射线(XR)。由此,通过电子束入射于靶部中的靶体以外的部分而产生的X射线成分被抑制为对空间分辨率不产生影响的程度,因此,能够提供抑制了空间分辨率的降低的X射线产生装置。

    脑测量装置
    6.
    发明公开
    脑测量装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119564211A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411234042.1

    申请日:2024-09-04

    Abstract: 脑测量装置(M1)包括脑磁计模块和MRI模块,脑磁计模块具有:单元(2);出射泵浦光的泵浦激光器(4);将探测光向单元(2)内的与泵浦光相交的灵敏度区域出射的探测激光器(5);检测通过了灵敏度区域的探测光的偏光面角度的光传感器组(8);施加偏置磁场的偏置磁场线圈(11);和修正偏置磁场的梯度的偏置磁场梯度修正线圈(12、13),MRI模块具有:用于发送规定的频率的RF脉冲的发送线圈(121);和检测通过RF脉冲的发送而产生的核磁共振信号的接收线圈(122),施加静磁场的线圈和施加倾斜磁场的线圈的至少一方由与偏置磁场线圈(11)或偏置磁场梯度修正线圈(12、13)相同的线圈构成。

    光激发磁传感器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115436852A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210598812.5

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明的光激发磁传感器(1)具备:在测量对象上形成第一单元区域和第二单元区域的单元(2、2r);泵浦激光器(7);探测激光器(8);用于使泵浦光沿第一方向入射于第一单元区域的第一光学系统;用于使通过了第一单元区域的泵浦光沿第一方向入射于第二单元区域的第二光学系统;用于使第一探测光沿与第一方向正交的第二方向入射于第一单元区域的第三光学系统;用于使第二探测光沿第二方向入射于第二单元区域的第四光学系统;检测通过了第一单元区域的第一探测光和通过了第二单元区域的第二探测光的检测部(18、18r);以及基于检测部(18、18r)的检测结果导出磁场的强度的导出部(19)。

    脑磁计
    8.
    发明公开
    脑磁计 审中-实审

    公开(公告)号:CN113805121A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110661632.2

    申请日:2021-06-15

    Abstract: 脑磁计(M1)具备:多个泵浦‑探测型的光激发磁传感器(1A),测量脑磁场;偏置磁场形成用线圈(15),用于在与多个泵浦‑探测型的光激发磁传感器(1A)的各个的泵浦光的方向相同的方向且与头皮大致平行的方向,施加偏置磁场;控制装置(5),以产生将多个泵浦‑探测型的光激发磁传感器的共振频率调整为脑磁场的频带的偏置磁场的方式,确定对偏置磁场形成用线圈的电流,并且输出对应于确定的电流的控制信号;以及线圈电源(6),根据由控制装置输出的控制信号,将电流输出至偏置磁场形成用线圈。

    电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器

    公开(公告)号:CN105938787B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201610117976.6

    申请日:2016-03-02

    Abstract: 本发明提供电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器,该电子倍增体包括主体部以及在主体部的一个端面和另一个端面开口并且放出二次电子的通道,该电子倍增体的制造方法包括:准备具有表面和背面的第一板状部件和一对第二板状部件的工序;在第一板状部件形成从表面至背面且沿表面和背面延伸的孔部的工序;通过以由一对第二板状部件夹着第一板状部件的方式将第一板状部件和第二板状部件相互叠层而构成叠层体、从而在叠层体形成由孔部规定的通道的工序;将叠层体一体化的工序;通过将一体化的叠层体以使得通道在一个端面和另一个端面开口的方式切断而构成主体部的工序;和在通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层的工序。

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