用于产生亚微米流体层的方法

    公开(公告)号:CN102248768A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110078836.X

    申请日:2011-03-28

    CPC classification number: B41F31/26 B41M1/00

    Abstract: 用于产生亚微米流体层的方法,在基底(S1,S2,S3)之间传递流体(F)并形成流体层(FS3)。为了在第一基底(S1)上产生第一流体料堆(FD1),排出流体的第一基底(S1)的表面能(γS1)大于第一基底(S1)上的流体的表面能(γF1),为了在第二基底(S2)上产生相对于第一流体料堆(FD1)减少的第二流体料堆(FD2),接收流体的第二基底(S2)的表面能(γS2)小于第二基底(S2)上的流体的表面能(γF2),为了在第三基底(S3)上产生形成流体层(FS3)的基本上均匀的第三流体料堆(FD3),接收流体的第三基底(S3)的表面能(γS3)大于该第三基底(S3)上的流体的表面能(γF3)。

    用于产生亚微米流体层的方法

    公开(公告)号:CN102248768B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201110078836.X

    申请日:2011-03-28

    CPC classification number: B41F31/26 B41M1/00

    Abstract: 用于产生亚微米流体层的方法,在基底(S1,S2,S3)之间传递流体(F)并形成流体层(FS3)。为了在第一基底(S1)上产生第一流体料堆(FD1),排出流体的第一基底(S1)的表面能(γS1)大于第一基底(S1)上的流体的表面能(γF1),为了在第二基底(S2)上产生相对于第一流体料堆(FD1)减少的第二流体料堆(FD2),接收流体的第二基底(S2)的表面能(γS2)小于第二基底(S2)上的流体的表面能(γF2),为了在第三基底(S3)上产生形成流体层(FS3)的基本上均匀的第三流体料堆(FD3),接收流体的第三基底(S3)的表面能(γS3)大于该第三基底(S3)上的流体的表面能(γF3)。

Patent Agency Ranking