公开(公告)号：CN106415791A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580005269.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·汀布莱克 ,  马克·R·亚玛多 ,  纳岚·罗夫

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/24535

Abstract: 结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。

公开(公告)号：CN106415791B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201580005269.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·汀布莱克 ,  马克·R·亚玛多 ,  纳岚·罗夫

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/24535

Abstract: 本发明提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法，该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。