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发明公开
一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料及其在高机密性X射线成像加密上的应用审中-实审

公开(公告)号：CN117511545A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311466202.0

申请日：2023-11-07

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨黄浩 , 杨志坚 , 啜文睿 , 张珍珍 , 陈小丰 , 陈秋水

IPC: C09K11/85 , G01N23/04

Abstract: 本发明涉及光学成像领域中的X射线成像领域，具体涉及一种基于X射线激发的紫外发光长余辉材料、制备方法及其在高机密性X射线成像加密上的应用。首先将镧系掺杂的稀土氟化物纳米闪烁体NaLuF4 Gd3+/Ce3+与硅胶混合制备薄膜，信息通过X射线辐照后存储在膜中，解密通过涂覆一层钙钛矿并且80℃加热实现。本发明研究的镧系稀土长余辉纳米粒子具有肉眼无法察觉的纯紫外发光，可以实现高保密性X射线成像加密；由闪烁体纳米粒子制备的柔性记忆膜能够实现弯曲物体的三维加密，具有高分辨率和良好的回收性；同时通过本发明技术存储的加密信息可以安全的存储在膜中7天，并通过钙钛矿进行光学解码。

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