公开(公告)号：CN103531660A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1828 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

公开(公告)号：CN105914244B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201610491387.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  董丽美 ,  赖云锋 ,  龙博 ,  俞金玲 ,  张红

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。

公开(公告)号：CN105914244A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610491387.4

申请日：2016-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  董丽美 ,  赖云锋 ,  龙博 ,  俞金玲 ,  张红

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高CZTS/CdS异质结整流比的方法和应用，属于半导体材料与器件技术领域。在真空条件下，使Ar气等离子化，并且在CZTS薄膜表面进行等离子体处理。等离子体对CZTS薄膜表面即CZTS/CdS异质结界面进行处理，不仅可以修饰其界面、减少缺陷，而且操作简单，处理后的CZTS/CdS异质结整流比有明显提高，有利于提高太阳能电池的转化效率。

公开(公告)号：CN103606591B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5 Ω·cm、1.411 cm2/(V·s)和2.165×1016 cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN103531660B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

公开(公告)号：CN106098844A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610490142.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  董丽美 ,  赖云锋 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  周海芳

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0322

Abstract: 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极，减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本；采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层，绿色环保，热膨胀系数与钼箔基底相匹配；且CZTS制备工艺简单，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN103606591A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0324

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。