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公开(公告)号：CN110730720A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880036110.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 索尼公司
IPC: B41J2/475 , B41J2/47 , G11B7/0045 , G11B7/135
Abstract: 根据本公开内容的实施方式的光学装置是执行针对可逆记录介质执行信息的写入和擦除中的一者或两者的装置。这种光学装置包括：在近红外区域(700nm至2500nm)中具有不同发射波长的多个激光元件；对从多个激光元件输出的激光束进行合成的光学系统；以及在可逆记录介质上对由通过光学系统进行合成而获得的合成光束进行扫描的扫描器部。
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公开(公告)号：CN109963722A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780069696.5
申请日：2017-10-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本公开内容实施方式的可逆性记录介质包括支撑基底和记录层。记录层设置在支撑基体上，并且在记录状态和删除状态之间可逆性地改变。支撑基体与记录层之间的色度差ΔC*满足关系表达式(1)，其中删除状态下的记录层的可见区域中的吸收光谱和支撑基体的可见区域中的吸收光谱均由L*a*b*表示。
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公开(公告)号：CN101931051B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010205349.0
申请日：2010-06-17
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0004 , H01L51/0018 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。
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公开(公告)号：CN101800176B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010105598.2
申请日：2010-01-28
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , C23C20/08
CPC classification number: H01L21/28229 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/1295 , H01L21/02164 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/28211 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/6675
Abstract: 一种膜沉积方法，包括以下步骤：将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者还原气氛下进行第二热处理，由此使所述涂层膜形成为氧化硅前体膜；和在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化硅膜，并且同时使所述硅膜致密化。
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公开(公告)号：CN111511563B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201980006789.2
申请日：2019-10-10
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开内容的实施方式的绘制方法包括：当在记录层上方设置有透光构件的热记录介质上进行绘制时，获取透光构件的信息，根据透光构件的信息来预测在记录层中激光束的光轴偏差，并根据光轴偏差的预测结果来计算校正量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109937144B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780069861.7
申请日：2017-10-17
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本公开的实施方式的可逆性记录介质包括支撑基底和在支撑基底上设置的并且在记录状态和删除状态之间可逆地改变的记录层。记录层包括：光热转化材料，其包括具有酞菁骨架的化合物、具有方酸菁骨架的化合物、具有菁骨架的化合物和无机化合物中的至少一种类型，并且具有菁骨架的化合物在其分子中包含反离子SbF6、PF6、BF4、ClO4、CF3SO3和(CF3SO3)2N，或含有五元环或六元环的次甲基链的一个或两者；具有供电子性质的显色性化合物；和具有电子接收性质并且包括由通式(1)所表示的至少一种类型的水杨酸化合物以及通过含有酰胺部分的连接基团具有25至34个碳原子的直链烃基的显色/减色剂。
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公开(公告)号：CN111511563A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201980006789.2
申请日：2019-10-10
Applicant: 索尼公司
Abstract: 根据本公开内容的实施方式的绘制方法包括：当在记录层上方设置有透光构件的热记录介质上进行绘制时，获取透光构件的信息，根据透光构件的信息来预测在记录层中激光束的光轴偏差，并根据光轴偏差的预测结果来计算校正量。
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公开(公告)号：CN109922966A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780069104.X
申请日：2017-09-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本公开的绘图装置设置有：照射单元，在第一时段中，将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域，并且在第一时段之后的第二时段中，将作为预定光的第二光照射到第二记录区域，该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中；和控制单元，控制发光单元的操作。
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公开(公告)号：CN101931051A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010205349.0
申请日：2010-06-17
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0004 , H01L51/0018 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。
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