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公开(公告)号:CN101573877A
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200780048537.3
申请日:2007-10-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H04N5/4446 , H03G3/3068 , H03J1/005 , H03J3/06 , H03J5/244 , H03J2200/10 , H04N5/50 , H04N5/52 , H04N21/4263 , H04N21/4305
Abstract: 一种可适用于各种类型的电视广播系统的前端电路中的IC。提供了对应于电视广播的多个接收频带的调谐电路(12A-12C,14A-14C)和高频放大器(13A-13C)。提供了用于选择性提供接收信号给所述调谐电路(12A-12C)的开关电路(11)、和用于选择性从调谐电路(14A-14C)提取输出的开关电路(15)。还提供了将来自开关电路(15)的输出提供给其的混频器电路(21I,21Q)、以及用于提供具有与混频器电路(21I,21Q)的相位垂直相交的相位的本地振荡信号(SLOI,SLOQ)的PLL(30)。此外,提供了接收来自混频器电路(21I,21Q)的输出的复合带通滤波器(24)、以及用于通过对来自复合带通滤波器(24)的输出进行运算而输出中频信号SIF的电路(25)。
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公开(公告)号:CN1681230A
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN200510063199.3
申请日:2005-04-06
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H04B17/21
Abstract: 本发明提供了一种测试信号发生电路和接收电路。测试信号发生电路包含调谐电路、用于形成正交本振信号的本振电路、用于通过本振信号将接收信号变频成IF信号的第一混频电路、用于从第一混频电路的输出中抽取IF信号的IF滤波器、用于移动由IF滤波器抽取的IF信号的相位的移相电路、用于通过将移相电路的输出相加/减而输出IF信号的第一计算电路、用于形成具有与该IF信号频率相等的频率的正交交流信号的形成电路、用于接收该交流信号和本振信号的第二混频电路,以及用于通过将第二混频电路的输出相加/减而输出信号的第二计算电路,其中,第二计算电路的输出被提供到调谐电路作为测试信号。
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公开(公告)号:CN101573877B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN200780048537.3
申请日:2007-10-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H04N5/4446 , H03G3/3068 , H03J1/005 , H03J3/06 , H03J5/244 , H03J2200/10 , H04N5/50 , H04N5/52 , H04N21/4263 , H04N21/4305
Abstract: 一种可适用于各种类型的电视广播系统的前端电路中的IC。提供了对应于电视广播的多个接收频带的调谐电路(12A-12C,14A-14C)和高频放大器(13A-13C)。提供了用于选择性提供接收信号给所述调谐电路(12A-12C)的开关电路(11)、和用于选择性从调谐电路(14A-14C)提取输出的开关电路(15)。还提供了将来自开关电路(15)的输出提供给其的混频器电路(21I,21Q)、以及用于提供具有与混频器电路(21I,21Q)的相位垂直相交的相位的本地振荡信号(SLOI,SLOQ)的PLL(30)。此外,提供了接收来自混频器电路(21I,21Q)的输出的复合带通滤波器(24)、以及用于通过对来自复合带通滤波器(24)的输出进行运算而输出中频信号SIF的电路(25)。
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公开(公告)号:CN101578765B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200780048827.8
申请日:2007-10-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H03K17/687 , H03J5/246 , H03J2200/10
Abstract: 可以在单个低电压上操作的开关电路。电容器(Ci)的多个(i=0到n)串联电路和MOS-FET(Qi)的漏源极并联连接在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间。在每一串联电路中,上拉电阻器(Ri)连接在反相器(Ai)的输出端和电容器(Ci)及MOS-FET(Qi)之间的结点之间。将用于电容控制的数字数据的每个位(bi)馈至MOS-FET(Qi)的栅极和反相器(Ai),由此获得取决于在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间的数字数据的值的电容。
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公开(公告)号:CN101552884A
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200910132536.8
申请日:2009-03-31
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了电子装置、电子装置的IC内部组成部件的发散调节方法和IC。该电子装置包括第一集成电路和第二集成电路,第一集成电路包括能够利用调节数据进行调节的内部组成部件、非易失性存储器和接口部,该非易失性存储器中存储有通过对内部组成部件预先进行调节而得到的预先取得的调节数据,该接口部具有将从非易失性存储器读出的预先取得的调节数据传送到外部的数据传送功能和存储从外部发送的实际使用调节数据并将所存储的实际使用调节数据提供给所述内部组成部件的数据存储功能,并且第二集成电路包括信号处理器,第一集成电路的接口部连接到该信号处理器。
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公开(公告)号:CN1681205A
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN200510063200.2
申请日:2005-04-06
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
IPC: H03G3/20
CPC classification number: H03G3/3068 , H03G1/0023 , H03G1/0088 , H03G7/001 , H03G2201/103 , H03G2201/204 , H03G2201/305 , H03G2201/307 , H03G2201/506
Abstract: 本发明的AGC电路包括:相对于接收信号串行连接的多个衰减器电路;多个可变增益放大器,所述接收信号以及来自所述衰减器电路的每个输出信号分别被提供给所述多个可变增益放大器;信号获取电路,该电路连接到所述可变增益放大器的输出端,用以获取电平受控的输出信号;以及控制电流产生电路,用于从第一和第二AGC电压产生具有预定特性的控制电流,其中从所述控制电流产生电路输出的控制电流被提供给所述可变增益放大器,作为切换其操作以及对其增益的控制信号,并且对应于所述控制电流的控制电流由所述控制电流产生电路来执行负反馈。
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公开(公告)号:CN101242163B
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN200810004875.3
申请日:2008-02-05
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H03G1/0029 , H03F3/195 , H03F3/45188 , H03F3/4521 , H03F3/45659 , H03F2200/391 , H03F2200/451 , H03F2203/45082 , H03F2203/45302 , H03F2203/45638 , H03G3/3068
Abstract: 在此公开了一种可变增益放大电路,其中第一和第二MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的源极被连接到与电流源连接的公共连接点。输入信号被提供给第一和第二MOSFET的栅极。所述第一和第二MOSFET的漏极分别连接到第三和第四MOSFET的源极,而第三和第四MOSFET的漏极分别连接到两输出端,增益控制电压被提供给所述第三和第四MOSFET的栅极。当执行控制以便降低提供给所述第三和第四MOSFET的所述栅极的所述增益控制电压时,还执行其它控制,以便提高施加到所述第一和第二MOSFET的所述栅极的偏置电压。
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公开(公告)号:CN101578766A
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200780048377.2
申请日:2007-10-05
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/162 , H03J2200/10 , H03K17/165 , H03K2217/0018 , H04N5/455
Abstract: 公开了切换电路、可变电容器电路及其IC。第一端子(T1)经由电容器(C11)而与背栅极被分离的MOS-FET(Q11)的漏极(或源极)相连接。该MOS-FET(Q11)在其源极(或漏极)与第二端子(T2)相连接。背栅极与源极(或漏极)相连接。控制电压(VG)提供至该MOS-FET(Q11)的栅极,以及经由电阻元件(R12)将具有与该控制电压(VG)的极性相反的极性的电压提供至该漏极。
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公开(公告)号:CN101578765A
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200780048827.8
申请日:2007-10-02
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
CPC classification number: H03K17/687 , H03J5/246 , H03J2200/10
Abstract: 可以在单个低电压上操作的开关电路。电容器(Ci)的多个(i=0到n)串联电路和MOS-FET(Qi)的漏源极并联连接在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间。在每一串联电路中,上拉电阻器(Ri)连接在反相器(Ai)的输出端和电容器(Ci)及MOS-FET(Qi)之间的结点之间。将用于电容控制的数字数据的每个位(bi)馈至MOS-FET(Qi)的栅极和反相器(Ai),由此获得取决于在第一端子(T1)和第二端子(T0)之间的数字数据的值的电容。
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公开(公告)号:CN101578766B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200780048377.2
申请日:2007-10-05
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 冈信大和
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/162 , H03J2200/10 , H03K17/165 , H03K2217/0018 , H04N5/455
Abstract: 公开了切换电路、可变电容器电路及其IC。第一端子(T1)经由电容器(C11)而与背栅极被分离的MOS-FET(Q11)的漏极(或源极)相连接。该MOS-FET(Q11)在其源极(或漏极)与第二端子(T2)相连接。背栅极与源极(或漏极)相连接。控制电压(VG)提供至该MOS-FET(Q11)的栅极,以及经由电阻元件(R12)将具有与该控制电压(VG)的极性相反的极性的电压提供至该漏极。
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