公开(公告)号：CN101233242A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027382.0

申请日：2006-07-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 中村亮太 ,  岸井典之 ,  阿部友照 ,  山本拓郎 ,  山下志功 ,  濑川雄司 ,  大森真二

IPC: C12Q1/68 ,  C12N15/09

Abstract: 本发明的目的在于提高杂交检测时的S/N比、提高杂交的检测精度。提供一种杂交检测方法，在反应场中，使探针核酸链与靶核酸链之间进行杂交之后，进行升温处理，使进行该杂交的前述反应场的温度高于规定的温度，从而提高杂交检测时的S/N比。

公开(公告)号：CN1735959A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108525.7

申请日：2003-11-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大森真二 ,  守屋茂 ,  纳土晋一郎

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/16

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/20 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3174

Abstract: 为了提供一种能校正不能仅仅通过校正掩模图形的电子束描绘数据减小的曝光过程中图像位置误差的曝光装置和曝光方法，以及使用该方法的半导体器件制造方法，其中在与曝光姿势相反的姿势下测量掩模的图像位置R2(ST7)；考虑在曝光姿势下由重力引起的图形位移校正测量的图像位置R2，和基于校正的图像位置和设计数据之间的差制备第一校正数据Δ1(ST10)；以及基于第一校正数据Δ1使带电粒子束偏转，以校正曝光于被曝光体的图形的位置，来执行曝光。