公开(公告)号：CN101587840B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200910143362.5

申请日：2009-05-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  尼子博久 ,  松延刚 ,  白井克弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/9513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。

公开(公告)号：CN101651093B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910161384.4

申请日：2009-08-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尼子博久 ,  梅津畅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  G01N21/84

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/268 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。

公开(公告)号：CN101651093A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910161384.4

申请日：2009-08-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尼子博久 ,  梅津畅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  G01N21/84

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01N21/9501 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/268 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1274 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明公开了半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置，所述半导体薄膜形成方法包括：在透明基板上形成非晶半导体薄膜的步骤；通过用激光照射所述非晶半导体薄膜来进行热处理，使所述非晶半导体薄膜结晶化从而形成结晶半导体薄膜的步骤；以及用于检查所述结晶半导体薄膜的检查步骤。所述检查步骤包括：通过从所述透明基板的背侧用光照射所述结晶半导体薄膜并进行摄像来获得所述结晶半导体薄膜的透射图像的步骤，以及基于所获得的透射图像对所述结晶半导体薄膜进行筛选的筛选步骤。所述半导体薄膜形成方法和半导体薄膜检查装置能够精确并容易地对所述结晶半导体薄膜进行评估。

公开(公告)号：CN101587840A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910143362.5

申请日：2009-05-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  尼子博久 ,  松延刚 ,  白井克弥

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/9513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。