公开(公告)号：CN1148711A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96111201.8

申请日：1996-07-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫 ,  柴田拓二 ,  本田忠行

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3941

Abstract: 一种在磁稳定性方面优越并能产生高重放功率的磁阻效应薄膜磁头。该薄膜磁头带有层叠在一起以形成一个磁阻效应元件3的一个连一层抗磁膜或一层硬磁膜在内的磁阻效应稳定层11、一个无磁绝缘层12及一个连一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层13。该薄膜磁头还带有一个布置在磁阻效应元件3的一个横向表面上的无磁绝缘层4和一对连接到磁阻效应元件3上部表面两端上的磁阻效应层13上的电极。利用磁阻效应层13的磁阻效应探测重放信号。

公开(公告)号：CN1218246A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122534.9

申请日：1998-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫 ,  阿部守晃 ,  本田忠行 ,  成泽浩亮 ,  柴田拓二

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121

Abstract: 一种使用旋转球形膜的磁阻效应型磁头,包括:平面基本为矩形的磁阻效应膜,其长度方向基本垂直于磁记录介质的滑动面、与磁阻效应膜长度方向一端相连的第一电极、与磁阻效应膜长度方向另一端相连的第二电极以及沿磁阻效应膜宽度方向设置在其两端的硬磁膜。磁阻效应膜由第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层以及反铁磁层一起层叠而成。硬磁膜具有比磁阻效应膜更大的电阻。

公开(公告)号：CN1069760C

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN96105469.7

申请日：1996-04-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 柴田拓二 ,  渡边隆

IPC: G01B7/26 ,  G01N27/04

CPC classification number: G11B5/398 ,  G01N17/00 ,  G01N27/041 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903

Abstract: 本发明的深度传感器可以高精度检测MR磁头的深度，它包含一个模拟传感器和一个数字传感器，该模拟传感器具有其电阻由于在研磨磁头时与磁头一同在深度方向上被研磨而连续地改变的一个电阻器并用于由所述连续改变的电阻而检测其深度，该数字传感器具有其电阻由于在研磨磁头时与磁头一同在深度方向上被研磨而非连续地改变的一个电阻器并用于由所述非连续改变的电阻而检测其深度。

公开(公告)号：CN1149125A

公开(公告)日：1997-05-07

申请号：CN96105469.7

申请日：1996-04-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 柴田拓二 ,  渡边隆

IPC: G01B7/26

CPC classification number: G11B5/398 ,  G01N17/00 ,  G01N27/041 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/3903

Abstract: 本发明的深度传感器可以高精度检测MR磁头的深度，它包含一个模拟传感器和一个数字传感器，该模拟传感器具有其电阻由于在研磨磁头时与磁头一同在深度方向上被研磨而连续地改变的一个电阻器并用于由所述连续改变的电阻而检测其深度，该数字传感器具有其电阻由于在研磨磁头时与磁头一同在深度方向上被研磨而非连续地改变的一个电阻器并用于由所述非连续改变的电阻而检测其深度。