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公开(公告)号：CN101541553A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000345.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
Abstract: 通过在基底10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或优选地由组合物化学式[(ZnS)x(SiO2)1－x]y(SbzX1－z)1－y(其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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公开(公告)号：CN101541553B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880000345.X
申请日：2008-02-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
Abstract: 通过在基板10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或优选地由组成化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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公开(公告)号：CN1161766C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN99800168.6
申请日：1999-02-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , Y10T428/21
Abstract: 公开了一种具有由相变材料构成的记录层的光记录介质。在该光记录介质结构中，Ac/Aa的比值为0.9或更高，其中Ac为所述记录层处于晶态时的吸收率，Aa为所述记录层处于非晶态时的吸收率。而且，用于促进这种相变材料结晶过程的结晶促进层与上述记录层中的至少一个表面相接触地生成。由于光吸收控制和结晶促进同时进行，晶体和非晶体之间的物理特性差异能够得到可靠补偿。因此，即使在高速传输和高记录密度情况下进行直接写操作，效果也很好。
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公开(公告)号：CN1256780A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800168.6
申请日：1999-02-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , Y10T428/21
Abstract: 公开了一种具有由相变材料构成的记录层的光记录介质。在该光记录介质结构中,Ac/Aa的比值为0.9或更高,其中Ac为所述记录层处于晶态时的吸收率,Aa为所述记录层处于非晶态时的吸收率。而且,用于促进这种相变材料结晶过程的结晶促进层与上述记录层中的至少一个表面相接触地生成。由于光吸收控制和结晶促进同时进行,晶体和非晶体之间的物理特性差异能够得到可靠补偿。因此,即使在高速传输和高记录密度情况下进行直接写操作,效果也很好。
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