公开(公告)号：CN108445166B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810532912.1

申请日：2016-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王艳艳 ,  彭长四 ,  陈林森 ,  宋加加

IPC: G01N33/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种三维多孔石墨烯超薄膜及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备三维多孔石墨烯超薄膜。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜制备的气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度。此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。

公开(公告)号：CN106556677A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610959549.2

申请日：2016-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王艳艳 ,  彭长四 ,  陈林森 ,  宋加加

IPC: G01N33/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度。此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。

公开(公告)号：CN106290489A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610959550.5

申请日：2016-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王艳艳 ,  彭长四 ,  陈林森 ,  宋加加

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种多孔石墨烯气敏传感器及其制备方法，通过采用高功率紫外辐照一步还原及刻蚀氧化石墨，并将所得到的多孔还原氧化石墨烯分散液旋涂到电极表面，从而得到多孔石墨烯气敏传感器。本发明所得到的多孔石墨烯气敏传感器对氨气分子具有极高的灵敏度；其制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。

公开(公告)号：CN106556677B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610959549.2

申请日：2016-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王艳艳 ,  彭长四 ,  陈林森 ,  宋加加

IPC: G01N33/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备、三维多孔石墨烯超薄膜的组装制备、三维多孔石墨烯超薄膜气体传感器的制备四个步骤实现传感器的制备。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度。此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。

公开(公告)号：CN108445166A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810532912.1

申请日：2016-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王艳艳 ,  彭长四 ,  陈林森 ,  宋加加

IPC: G01N33/00 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种三维多孔石墨烯超薄膜及其制备方法，经带负电多孔石墨烯分散液的制备、带正电多孔石墨烯分散液的制备三维多孔石墨烯超薄膜。本发明所得到的多孔石墨烯超薄膜制备的气敏传感器对DMMP气体分子具有极高的灵敏度。此制备方法工艺简单，适合于传感器的大量制备。