一种石墨烯复合材料及其传感器与应用

    公开(公告)号:CN113552179A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110729739.6

    申请日:2021-06-29

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合材料及其传感器与应用,包括二硫化钼、石墨烯、石墨烯量子点。具体的,本发明以二硫化钼、石墨烯、石墨烯量子点组成石墨烯复合材料,具有更多活性位点,利于气体的吸附,支撑基底一定程度上抑制了二硫化钼的堆积,是提高材料气敏响应性能的有效手段。尤其是,本发明解决了现有二硫化钼传感器需要加热才可检测二氧化氮的问题,在室温下可以检测二氧化氮,测试结果表明,本发明MoS2/rGO/GQDs复合材料气体传感器的响应值高,检测浓度低至5ppb,器件仍有13.0%的响应值,而且具有优异的重复性和选择性。

    锰氧化物一维纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN108373172B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201810205094.4

    申请日:2018-03-13

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种锰氧化物一维纳米线的制备方法,包括以下步骤:将还原剂、氧化剂和咪唑类离子液体溶于水中,然后在90‑200℃下进行水热反应,分离出固体,固体即为锰氧化物粗产品;其中,还原剂为硫酸锰,氧化剂为高锰酸钾或过硫酸盐;优选地,在90‑160℃下进行水热反应;将锰氧化物粗产品在空气中焙烧,焙烧温度为300‑450℃,得到锰氧化物一维纳米线,其中锰氧化物为二氧化锰或三氧化二锰,二氧化锰的晶型为α晶型、β晶型或γ晶型。本发明的方法简单易操作,原料成本低,适用于工业成产,可制备出具有高长径比的锰氧化物一维纳米线。

    锰氧化物一维纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN108373172A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810205094.4

    申请日:2018-03-13

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种锰氧化物一维纳米线的制备方法,包括以下步骤:将还原剂、氧化剂和咪唑类离子液体溶于水中,然后在90-200℃下进行水热反应,分离出固体,固体即为锰氧化物粗产品;其中,还原剂为硫酸锰,氧化剂为高锰酸钾或过硫酸盐;优选地,在90-160℃下进行水热反应;将锰氧化物粗产品在空气中焙烧,焙烧温度为300-450℃,得到锰氧化物一维纳米线,其中锰氧化物为二氧化锰或三氧化二锰,二氧化锰的晶型为α晶型、β晶型或γ晶型。本发明的方法简单易操作,原料成本低,适用于工业成产,可制备出具有高长径比的锰氧化物一维纳米线。

    碳纤维包裹的具有蛋黄壳结构的氧化锰-碳复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109616636A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811473489.9

    申请日:2018-12-04

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 杨成 彭扬 赵晓辉

    Abstract: 本发明公开了一种碳纤维包裹的具有蛋黄壳结构的氧化锰-碳复合材料的制备方法,包括:将粉末状含锰的金属有机框架材料,与聚丙烯腈进行混合静电纺丝,得到复合纳米纤维膜;将所述复合纳米纤维膜依次进行预氧化、碳化,即得到所述的氧化锰-碳复合材料。本发明还提供了由上述制备方法制得的氧化锰-碳复合材料及其作为薄膜电极的应用。本发明的氧化锰-碳复合材料,纤维中粒子的分散性好,操作方便,纤维的碳层能有效地保护内部活性物质,独特的蛋黄壳结构有利于提高材料在锂离子电池方面的稳定性。

    一种金属硫化物表面原位异质结构及制备方法与气敏应用

    公开(公告)号:CN117589832A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311457710.2

    申请日:2023-11-03

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属硫化物表面原位异质结构及制备方法与气敏应用,基于不同类型半导体材料的气敏传感机理,以过渡金属硫族化合物为基体,通过原位改性技术构建不同类型的表面异质结构,有效改善室温下过渡金属硫族化合物气体传感器的气敏性能。基于二硫化钼(MoS2)纳米花负载三氧化钼(MoO3)纳米颗粒的p‑n型表面异质结构,其在室温下对二氧化氮(NO2)气体表现出优异的气敏性能,对1 ppm NO2气体的响应值远高于其它测试气体,表现出对NO2气体优异的选择性。基于二硫化锡(SnS)2纳米花负载二氧化锡(SnO2)纳米颗粒的n‑n型表面异质结构,增强了SnS2/SnO2复合材料的导电率,从而有效降低SnS2/SnO2复合材料的整体电阻,并在室温下对NO2气体表现出优异的气敏性能。

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