公开(公告)号：CN105993074B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201580009457.1

申请日：2015-03-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： F.A.辛塞克-埃格 ,  J.J.孙 ,  B.李 ,  S.贾彦蒂 ,  H.赵 ,  黄广宇 ,  刘海涛

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/1157

Abstract: 一种中空沟道存储器设备包括源层、形成在源层上的第一中空沟道柱结构以及形成在第一中空沟道柱结构上的第二中空沟道柱结构。第一中空沟道柱结构包括第一薄沟道，并且第二中空沟道柱结构包括与第一薄沟道接触的第二薄沟道。在一个示例性实施例中，第一薄沟道包括第一掺杂水平；并且第二薄沟道包括不同于第一掺杂水平的第二掺杂水平。在另一示例性实施例中，第一和第二掺杂水平相同。

公开(公告)号：CN105993074A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201580009457.1

申请日：2015-03-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： F.A.辛塞克-埃格 ,  J.J.孙 ,  B.李 ,  S.贾彦蒂 ,  H.赵 ,  黄广宇 ,  刘海涛

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 一种中空沟道存储器设备包括源层、形成在源层上的第一中空沟道柱结构以及形成在第一中空沟道柱结构上的第二中空沟道柱结构。第一中空沟道柱结构包括第一薄沟道，并且第二中空沟道柱结构包括与第一薄沟道接触的第二薄沟道。在一个示例性实施例中，第一薄沟道包括第一掺杂水平；并且第二薄沟道包括不同于第一掺杂水平的第二掺杂水平。在另一示例性实施例中，第一和第二掺杂水平相同。