公开(公告)号：CN116896547A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310196932.7

申请日：2023-03-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 李亚东 ,  C·L·王 ,  B·A·布里斯

IPC: H04L65/60 ,  H04L65/65

Abstract: 本文描述的示例涉及一种包括电路装置的网络接口设备，该电路装置用于：接收用于在将媒体传输到接收机之前执行卸载媒体编码和分组化的请求，其中，媒体包括视频和音频；执行对媒体的编码；基于实时传输协议(RTP)协议执行将经编码的媒体分组化为一个或多个分组；以及使一个或多个分组传输到接收机。

公开(公告)号：CN115810632A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210966911.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·哈桑 ,  T·加尼 ,  P·A·帕特尔 ,  L·P·古勒 ,  M·K·哈兰 ,  C·L·王

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开涉及选择性减薄的环栅（GAA）结构。在本文中提供用于形成半导体器件的技术，所述半导体器件具有与在相同衬底上且在相当的高度处（例如，在相同层或相邻层内）的其它半导体器件相比减薄的半导体区（例如，更薄的纳米带）。在示例中，给定存储器单元的邻近的半导体器件包括p沟道器件和n沟道器件。p沟道器件可以是具有半导体纳米带的GAA晶体管，该半导体纳米带具有第一宽度；而n沟道器件可以是具有半导体纳米带的GAA晶体管，该半导体纳米带具有大于第一宽度的第二宽度（例如，第一宽度是第二宽度的一半）。p沟道器件可以具有比对应的n沟道器件更薄的宽度，以便通过降低有源半导体沟道的宽度来在结构上降低通过p沟道器件的操作电流。