公开(公告)号：CN109652094B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201811580222.X

申请日：2018-12-24

Applicant: 西安彩晶光电科技股份有限公司

Inventor： 杨学军 ,  杜渭松 ,  高嫒嫒 ,  别国军 ,  张严伟 ,  黄劳劳 ,  陈少青 ,  赵远

IPC: C09K19/12 ,  C09K19/30 ,  C07C41/16 ,  C07C41/30 ,  C07C43/225 ,  C07C17/32 ,  C07C22/08

Abstract: 本发明公开了一种二氟甲醚桥键液晶单体的制备方法，该方法按照如下反应式进行：其中，R为C1～C10的直链烷基；X1、X2、X3、X4、X5和X6均为H或F；Y为H、F、CF3或OCF3；Z为苯环、氟取代的苯环或环己烷；n为0、1或2。本发明以新的多卤代联苯类化合物Ⅱ为原料，为二氟甲醚桥键类液晶单体的制备提供一种新的方法，该制备方法利用含有‑CF2Br和‑Br两个不同官能团的卤代联苯类化合物为原料，简便的合成了二氟甲醚桥键类液晶单体，简化了化学反应步骤，提高了原辅材料的利用率及制备效率。

公开(公告)号：CN109652094A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811580222.X

申请日：2018-12-24

Applicant: 西安彩晶光电科技股份有限公司

Inventor： 杨学军 ,  杜渭松 ,  高嫒嫒 ,  别国军 ,  张严伟 ,  黄劳劳 ,  陈少青 ,  赵远

IPC: C09K19/12 ,  C09K19/30 ,  C07C41/16 ,  C07C41/30 ,  C07C43/225 ,  C07C17/32 ,  C07C22/08

Abstract: 本发明公开了一种二氟甲醚桥键液晶单体的制备方法，该方法按照如下反应式进行：其中，R为C1～C10的直链烷基；X1、X2、X3、X4、X5和X6均为H或F；Y为H、F、CF3或OCF3；Z为苯环、氟取代的苯环或环己烷；n为0、1或2。本发明以新的多卤代联苯类化合物Ⅱ为原料，为二氟甲醚桥键类液晶单体的制备提供一种新的方法，该制备方法利用含有-CF2Br和-Br两个不同官能团的卤代联苯类化合物为原料，简便的合成了二氟甲醚桥键类液晶单体，简化了化学反应步骤，提高了原辅材料的利用率及制备效率。

公开(公告)号：CN109704915A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811581135.6

申请日：2018-12-24

Applicant: 西安彩晶光电科技股份有限公司

Inventor： 杨学军 ,  杜渭松 ,  高嫒嫒 ,  别国军 ,  张严伟 ,  黄劳劳 ,  陈少青 ,  赵远

IPC: C07C25/18 ,  C07C17/32 ,  C07F1/02

Abstract: 本发明公开了一种多卤代联苯类化合物，其特征在于，该化合物的结构通式为：其中，Y1，Y2，Y3和Y4为H或F。该方法以化合物Ⅰ为原料，化合物Ⅰ在超低温条件下与n-BuLi反应生成锂盐后，再与CF2Br2继续在超低温条件下反应得到所述多卤代联苯类化合物。本发明得到一类新的多卤代联苯类化合物；利用一步反应同时向分子结构中引入-CF2Br和-Br两个不同的官能团，简化了化学反应步骤，能够提高原辅材料利用率及制备效率；本发明得到的一类多卤代联苯类化合物，可以方便的用于二氟甲醚桥键类液晶单体的合成制备，克服了二氟二溴甲烷方法中反应路线长，原料转化率低的问题。