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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102842647B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210206637.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: C23C14/0629 , C23C14/548 , C23C18/1204 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/1828 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及制造光伏器件的方法和光伏器件。本发明的一个方面包括制造光伏器件的方法。该方法包括在窗口层上设置吸收体层，其中该吸收体层包括第一区域和第二区域。该方法包括在包括处于第一分压的氧的第一环境中邻近该窗口层设置该第一区域，并且在包括处于第二分压的氧的第二环境中在该第一区域上设置该第二区域，其中该第一分压大于该第二分压。本发明的一个方面包括光伏器件。
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公开(公告)号：CN102136524A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010615759.2
申请日：2010-12-16
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: C23C14/0629 , C23C14/5846 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02664 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H01L31/186 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明名称为“制作光伏电池的方法”。公开了一种用于制作光伏(PV)电池的方法。该方法包括至少以下步骤：提供包括含有界面区(304)的碲化镉(CdTe)层的第一组件(300)，以及在存在包括铜的材料的情况下，使第一组件进行功能化处理。
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公开(公告)号：CN102136524B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201010615759.2
申请日：2010-12-16
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: C23C14/0629 , C23C14/5846 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02664 , H01L31/073 , H01L31/1828 , H01L31/186 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明名称为“制作光伏电池的方法”。公开了一种用于制作光伏(PV)电池的方法。该方法包括至少以下步骤：提供包括含有界面区(304)的碲化镉(CdTe)层的第一组件(300)，以及在存在包括铜的材料的情况下，使第一组件进行功能化处理。
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公开(公告)号：CN102842647A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210206637.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: C23C14/0629 , C23C14/548 , C23C18/1204 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/0749 , H01L31/1828 , H01L31/1832 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及制造光伏器件的方法和光伏器件。本发明的一个方面包括制造光伏器件的方法。该方法包括在窗口层上设置吸收体层，其中该吸收体层包括第一区域和第二区域。该方法包括在包括处于第一分压的氧的第一环境中邻近该窗口层设置该第一区域，并且在包括处于第二分压的氧的第二环境中在该第一区域上设置该第二区域，其中该第一分压大于该第二分压。本发明的一个方面包括光伏器件。
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公开(公告)号：CN102534508A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110451791.6
申请日：2011-12-20
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J·N·约翰森 , 赵宇 , S·D·费尔德曼-皮博迪
CPC classification number: C23C14/246 , C23C14/0629 , H01L31/1836 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法。具体而言，提供了一种将升华的源材料作为掺杂薄膜汽相沉积到光伏(PV)模块基底上的设备及相关工艺。容器设置在真空头部室内且构造成用于接收从第一进料管供送的源材料。第二进料管可提供掺杂材料到沉积头部中。加热式分配歧管设置在容器下方且包括限定为经由其穿过的多个通路。容器由分配歧管间接地加热至足以升华容器内的源材料的程度。分配板设置在分配歧管下方且处在传送穿过设备的基底的水平面上方限定距离，以便将穿过分配歧管的升华源材料进一步分配到下方基底的上表面上。
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