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公开(公告)号：CN101687649A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021767.5
申请日：2008-05-20
Applicant: 通用电气公司
IPC: C01B33/025
CPC classification number: C01B33/025
Abstract: 描述了一种制造高纯度元素硅的方法。该方法包括如下来制备硅胶组合物的步骤：将至少一种有机硅烷化合物与含水组合物进行反应，来形成硅胶颗粒。然后在该硅胶组合物存在下，将烃物质通过烃裂化反应进行分解，目的是将由该烃物质分解所形成的碳沉积在硅胶组合物颗粒上。将该含碳的硅胶组合物加热到高温来生产元素硅产物。还描述了使用元素硅来制造光电池的相关方法。
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