公开(公告)号：CN102142481A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010615576.0

申请日：2010-12-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·A·德卢卡 ,  S·菲尔德曼-皮博迪

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明碲化镉的P型掺杂的方法。公开一种p型掺杂碲化镉(CdTe)的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供包括含有界面区(304)的碲化镉(CdTe)的第一组件(300)；以及(b)使CdTe进行功能化处理以获得p型掺杂的CdTe，所述功能化处理包括在存在包括p型掺杂物的第一材料和包括卤素的第二材料的情况下界面区的至少一部分的热处理。还公开一种制作光伏电池(400)的方法。

公开(公告)号：CN102142481B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201010615576.0

申请日：2010-12-16

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·A·德卢卡 ,  S·菲尔德曼-皮博迪

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明名称为“碲化镉的P型掺杂的方法”。公开一种p型掺杂碲化镉(CdTe)的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供包括含有界面区(304)的碲化镉(CdTe)的第一组件(300)；以及(b)使CdTe进行功能化处理以获得p型掺杂的CdTe，所述功能化处理包括在存在包括p型掺杂物的第一材料和包括卤素的第二材料的情况下界面区的至少一部分的热处理。还公开一种制作光伏电池(400)的方法。