公开(公告)号：CN107408490A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201580078308.0

申请日：2015-10-14

Applicant: 1366科技公司

Inventor： R.荣茨克 ,  B.D.克南 ,  G.D.S.赫德尔森 ,  A.M.罗伦斯 ,  E.M.萨赫斯

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B11/002 ,  C30B19/12 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B35/002 ,  H01L21/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。

公开(公告)号：CN107408490B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201580078308.0

申请日：2015-10-14

Applicant: 1366科技公司

Inventor： R.荣茨克 ,  B.D.克南 ,  G.D.S.赫德尔森 ,  A.M.罗伦斯 ,  E.M.萨赫斯

IPC: H01L21/00

Abstract: 半导体晶片在包含掺杂剂的模具上形成。掺杂剂对邻近模具的熔体区域进行掺杂。在那里，掺杂剂浓度高于熔体块体中的掺杂剂浓度。晶片开始凝固。掺杂剂在固体半导体中不良地扩散。在晶片开始凝固之后，掺杂剂不能进入熔体。之后，邻近晶片表面的熔体中的掺杂剂的浓度小于晶片开始形成的地方存在的掺杂剂的浓度。新的晶片区域从其掺杂剂浓度随时间的推移减少的熔体区域生长。这在晶片中建立了掺杂剂梯度，邻近模具具有较高浓度。能够修整梯度。梯度产生能够起漂移场或背表面场的作用的场。太阳能收集器能够在背表面上具有开放栅格导体和更好的光学反射器，固有的背表面场使所述更好的光学反射器变得可能。